公开(公告)号：CN114600044A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080072309.5

申请日：2020-10-15

申请人： 阿科玛法国公司 ,  国家科学研究中心 ,  波尔多大学 ,  波尔多理工学院 ,  格勒诺布尔阿尔卑斯大学

发明人： X.谢瓦利尔 ,  M.塞雷格 ,  C.戈麦斯科雷亚 ,  M.泽尔斯曼 ,  G.弗勒里

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/027

摘要： 本发明涉及定向自组装光刻方法，所述方法包括将嵌段共聚物膜沉积在相对于嵌段共聚物而言中性的层(20)上的步骤，所述嵌段共聚物膜意图用作光刻掩模，所述方法的特征在于其包括以下步骤：‑将中性层(20)沉积在衬底(10)的表面上，所述中性层(20)为碳质或氟‑碳质层且被沉积至厚度大于嵌段共聚物膜(40)的厚度的1.5倍，‑使中性层交联，‑将包括至少一个甲硅烷基化嵌段的嵌段共聚物膜沉积在交联的中性层(30)上，‑使堆叠体经历组装温度以将嵌段共聚物纳米结构化，‑从纳米结构化的嵌段共聚物膜(40)移除(G1)纳米畴(41，42)的至少一个，以形成意图通过蚀刻(G2、G3、G4)转印到衬底(10)的厚度中的图案。