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公开(公告)号：CN100509980C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200380104654.9
申请日：2003-11-19
申请人： 阿科玛股份有限公司
摘要： 公开了一类用来对用于半导体制造的晶片的暴露表面进行修整的浆料，也提供了利用这类加工浆料对用于半导体制造的晶片的暴露表面进行修整的方法，以及半导体晶片。本发明的浆料由液体载体、能将铜转化为硫化铜的含硫化合物、任选的磨粒(研磨剂)、任选的鳌合剂、任选的缓冲剂、任选的终止化合物、任选的其它添加剂、以及任选的共溶剂组成。本发明的方法包括以下步骤：a)提供晶片，所述晶片包含具有蚀刻形成的有图案的表面的第一种材料和沉积在所述第一种材料表面上的第二种材料；b)在加工浆料存在的条件下，使所述晶片的第二种材料与磨粒接触；c)在使所述第二种材料与所述浆液和磨粒接触的同时，使所述晶片或研磨垫或者两者作相对运动，直到所述晶片的暴露表面成为平整并包含至少一个区域的暴露的第一种材料和一个区域的暴露的第二种材料。
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公开(公告)号：CN1788112A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012923.3
申请日：2004-04-27
申请人： 阿科玛股份有限公司
CPC分类号： H01M10/26 , C07C303/44 , C25D3/02 , C25D5/18 , C25F1/02 , C25F1/04 , H01M10/08 , H01M12/085 , H01M2300/0005 , H01M2300/0011 , Y02E60/128 , C07C309/04
摘要： 本发明揭示了一种用于电化学过程中的溶液，所述溶液包含磺酸和易于被还原的、低浓度的、具有高或低化合价之一的硫化合物，所述溶液可供电解淀积、电池、导电聚合物和除锈过程中使用。
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公开(公告)号：CN1788112B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200480012923.3
申请日：2004-04-27
申请人： 阿科玛股份有限公司
CPC分类号： H01M10/26 , C07C303/44 , C25D3/02 , C25D5/18 , C25F1/02 , C25F1/04 , H01M10/08 , H01M12/085 , H01M2300/0005 , H01M2300/0011 , Y02E60/128 , C07C309/04
摘要： 本发明揭示了一种用于电化学过程中的溶液，所述溶液包含磺酸和易于被还原的、低浓度的、具有高或低化合价之一的硫化合物，所述溶液可供电解淀积、电池、导电聚合物和除锈过程中使用。
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公开(公告)号：CN1720353A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104654.9
申请日：2003-11-19
申请人： 阿科玛股份有限公司
摘要： 公开了一类用来对用于半导体制造的晶片的暴露表面进行修整的浆料，也提供了利用这类加工浆料对用于半导体制造的晶片的暴露表面进行修整的方法，以及半导体晶片。本发明的浆料由液体载体、能将铜转化为硫化铜的含硫化合物、任选的磨粒(研磨剂)、任选的鳌合剂、任选的缓冲剂、任选的终止化合物、任选的其它添加剂、以及任选的共溶剂组成。本发明的方法包括以下步骤：a)提供晶片，所述晶片包含具有蚀刻形成的有图案的表面的第一种材料和沉积在所述第一种材料表面上的第二种材料；b)在加工浆料存在的条件下，使所述晶片的第二种材料与磨粒接触；c)在使所述第二种材料与所述浆液和磨粒接触的同时，使所述晶片或研磨垫或者两者作相对运动，直到所述晶片的暴露表面成为平整并包含至少一个区域的暴露的第一种材料和一个区域的暴露的第二种材料。
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