一种具有液晶聚合物层的铯基钙钛矿太阳电池及制备方法

    公开(公告)号:CN117560936A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311510097.6

    申请日:2023-11-13

    摘要: 本发明公开了一种具有液晶聚合物层的铯基钙钛矿太阳电池及制备方法,该钙钛矿太阳电池在钙钛矿吸收层上设置一层有序排列的液晶聚合物。该材料具有一定的液晶区间,且含有‑C≡N、‑S‑、硅氧键、硅碳键这些特殊基团,当在钙钛矿薄膜表面有序排列时,不仅可以提高钙钛矿薄膜的表面平整度,钝化表面缺陷,减少电荷复合,提高电池的开压,进而提高电池的光电转化效率,液晶态的聚合物能够促进上述特殊基团发挥作用;除此之外,还可以与Spiro‑OMeTAD相互作用,抑制Li+的迁移,进而提高电池的稳定性,整体上提高了铯基钙钛矿太阳电池的光电性能和工作稳定性。

    一种包含异构混合荧光标记材料的CsPbI3钙钛矿电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115915778A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211457473.5

    申请日:2022-11-21

    IPC分类号: H10K30/10 H10K71/12 H10K71/15

    摘要: 本发明公开了一种包含异构混合荧光标记材料的CsPbI3钙钛矿电池及其制备方法,该方法在钙钛矿前驱体溶液中加入RBITC材料,旋涂后进行退火,RBITC中含有‑SCN、‑COOH、‑N‑R等基团;在钙钛矿薄膜退火过程中,‑SCN转变为HSCN,以气体的形式挥发,挥发过程调控了钙钛矿结晶过程,会延缓结晶,使薄膜缺陷减少,RBITC中的‑COOH还会与钙钛矿薄膜中的铅、碘等相关缺陷以路易斯酸碱或氢键的方式作用,降低薄膜缺陷态密度、减少非辐射复合损失、提高电池效率。