公开(公告)号：CN101896286A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120425.9

申请日：2008-10-08

申请人： 陶氏环球技术公司

发明人： 安杰拉·塔哈 ,  克里斯托弗·韦卡特 ,  霍安格·法姆 ,  特里·格拉斯 ,  马修·拉里夫 ,  贾森·布罗迪尔 ,  库尔特·科皮

IPC分类号： B05D7/24 ,  B29C49/00 ,  C08J7/00

CPC分类号： B05D7/02 ,  B05D1/62 ,  B29B11/08 ,  B29B11/14 ,  B29B2911/1402 ,  B29B2911/14026 ,  B29B2911/14033 ,  B29B2911/1404 ,  B29B2911/14106 ,  B29B2911/14133 ,  B29B2911/1498 ,  B29C49/0073 ,  B29C49/06 ,  B29C49/08 ,  B29K2023/12 ,  B29K2105/258 ,  B29K2995/0022 ,  B29K2995/0073 ,  C08J7/18 ,  C08J2323/10 ,  C08J2483/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  Y10T428/24355

摘要： 公开了一种改善包含聚烯烃的等离子体涂布物体防渗性能的方法。所述方法包括确保所述要涂布物体表面是光滑的，所述表面的特征为均方根表面粗糙度变化小于要施加涂层的厚度，通常小于100纳米。本发明还涉及一种改善基于聚烯烃的制品耐污染性的方法，包括在所述制品上沉积聚有机基硅氧烷层的条件下等离子体聚合有机硅化合物，和/或(b)在如下条件下等离子体聚合有机硅化合物，所述条件为直接在制品上沉积硅氧化物层或在根据步骤(a)制备的聚有机基硅氧烷层上沉积硅氧化物层。