公开(公告)号：CN117594684A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202211622637.5

申请日：2022-12-16

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 吴帅 ,  张东威 ,  章金生 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了双面混合太阳能电池及其制备方法，双面混合太阳能电池包括：半导体基底；隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；氧化铝层和减反层；本征非晶硅层和掺杂非晶硅层。通过在正面的第一区域设置掺杂的poly finger(即掺杂多晶硅层)，降低了正面的寄生光吸收，解决了HJT电池中正面全面的非晶硅导致寄生吸收较高的问题。且在正面的第二区域设置氧化铝层和减反层，对第二区域进行钝化，降低了正面的复合，增加了少数载流子寿命，进一步降低了反射率。且本发明在第一区域设置的掺杂多晶硅层，在第二区域设置的氧化铝层，对于清洗要求低(相对于HJT电池对非晶硅钝化绒面的清洗要求高而言)，降低了工艺难度。

公开(公告)号：CN115588698B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202211385088.4

申请日：2022-11-07

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 章金生 ,  吴帅 ,  罗飞 ,  田小强 ,  唐喜颜 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层；第二半导体层的第一部分与第一半导体层交替设置并具有间隙，第二半导体层的第二部分与第一部分连续，且沿着垂直于第一表面的第二方向延伸到第一半导体层远离硅基底的一侧上；第一绝缘层至少位于间隙中，且第一绝缘层靠近第一导电半导体层端部。第一导电半导体层和第二导电半导体层之间，除了具有第二本征半导体层起到钝化和绝缘作用之外，第一绝缘层对第一导电半导体层和第二导电半导体层起到良好的绝缘补强作用，降低了不同类型的导电半导体层之间漏电的概率。

公开(公告)号：CN117558805A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310166006.5

申请日：2023-02-24

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 王永磊 ,  方亮 ,  魏俊喆 ,  何博 ,  殷实 ,  叶枫 ,  洪承健 ,  唐喜颜 ,  章金生 ,  李鹏 ,  杨泽君 ,  周生厚 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其生产方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。方法包括：提供半导体基体；在半导体基体的背光面上设置绝缘吸光层；绝缘吸光层至少部分位于过渡区域内；在半导体基体的背光面、以及绝缘吸光层的背光面形成透明导电层；用激光照射透明导电层上与绝缘吸光层对应的区域，至少部分绝缘吸光层吸收所述激光后爆裂，使得爆裂区域的透明导电层崩除，形成开口。本发明可以提升良率，可以扩大激光的选择范围，扩大了激光工艺窗口，提升了工艺稳定性，降低了生产成本，激光吸收块能够充分保护其下方的膜层基本不受到激光的损伤，可以提升良率。而且，工序简单，耗时较少，材料浪费较少，且没有废液排放。

公开(公告)号：CN115188837B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202210736805.7

申请日：2022-06-27

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 邱浩然 ,  章金生 ,  唐喜颜 ,  曹玉甲 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背光面包括紧邻的第一区域和第二区域；依次层叠在所述第一区域上的本征钝化层、第一掺杂类型的第一导电层、TCO层；依次层叠在第二区域上的隧穿钝化层、硅介质层、含有第二掺杂类型的元素的掺杂介质层、本征钝化层、第一导电层、TCO层；其中，硅介质层的局部区域形成有第二导电层，第二导电层中含有所述第二掺杂类型的元素；位于第一区域上的第一导电层和第二导电层之间绝缘。本发明中，背接触太阳能电池的接触电阻较小，暗态饱和电流密度较小，可以提升背接触太阳能电池的填充因子，进而提升背接触太阳能电池的发电效率。

公开(公告)号：CN116190483A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211098083.3

申请日：2022-09-08

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 章金生 ,  邱浩然 ,  周生厚 ,  叶枫 ,  方亮

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法，涉及太阳能电池技术领域，以将背接触异质结太阳能电池中P型区域与第一电极之间的接触势垒、以及N型区域与第二电极之间的接触势垒同时降低至较小的目标范围，提高其光电转换效率。背接触异质结太阳能电池包括：硅异质结基底、第一透明导电层和第二透明导电层。硅异质结基底具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向，第二面具有交替间隔设置的P型区域和N型区域。第一透明导电层至少形成在P型区域上。第二透明导电层至少形成在N型区域上。第二透明导电层位于N型区域上的部分与第一透明导电层位于P型区域上的部分相互绝缘。第二透明导电层的功函数小于第一透明导电层的功函数。

公开(公告)号：CN117558796A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310391575.X

申请日：2023-04-12

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 吴帅 ,  章金生 ,  叶枫 ,  方亮

IPC分类号： H01L31/068 ,  C09K13/08 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及制备方法、刻蚀液和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底、均位于硅基底背光侧的第一传输层和第二传输层；第一传输层包括层叠设置的第一本征硅层和第一掺杂层；第一本征硅层比第一掺杂层更靠近硅基底；第一传输层中，靠近第二传输层的侧面，与硅基底的背光面中，第二传输层接触的第一子表面的夹角为X，45°＜X＜85°。本发明中，图形化处理过程的刻蚀，对第一传输层侧边刻蚀较小，图形化准确性较高，过刻程度较小，降低了图形化对于背接触太阳能电池性能的不良影响，特别是能够减小图形化对于背接触太阳能电池钝化性能的不良影响。

公开(公告)号：CN115588698A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211385088.4

申请日：2022-11-07

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 章金生 ,  吴帅 ,  罗飞 ,  田小强 ,  唐喜颜 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层；第二半导体层的第一部分与第一半导体层交替设置并具有间隙，第二半导体层的第二部分与第一部分连续，且沿着垂直于第一表面的第二方向延伸到第一半导体层远离硅基底的一侧上；第一绝缘层至少位于间隙中，且第一绝缘层靠近第一导电半导体层端部。第一导电半导体层和第二导电半导体层之间，除了具有第二本征半导体层起到钝化和绝缘作用之外，第一绝缘层对第一导电半导体层和第二导电半导体层起到良好的绝缘补强作用，降低了不同类型的导电半导体层之间漏电的概率。

公开(公告)号：CN115188837A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210736805.7

申请日：2022-06-27

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 邱浩然 ,  章金生 ,  唐喜颜 ,  曹玉甲 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背光面包括紧邻的第一区域和第二区域；依次层叠在所述第一区域上的本征钝化层、第一掺杂类型的第一导电层、TCO层；依次层叠在第二区域上的隧穿钝化层、硅介质层、含有第二掺杂类型的元素的掺杂介质层、本征钝化层、第一导电层、TCO层；其中，硅介质层的局部区域形成有第二导电层，第二导电层中含有所述第二掺杂类型的元素；位于第一区域上的第一导电层和第二导电层之间绝缘。本发明中，背接触太阳能电池的接触电阻较小，暗态饱和电流密度较小，可以提升背接触太阳能电池的填充因子，进而提升背接触太阳能电池的发电效率。

公开(公告)号：CN221282127U

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202322666629.7

申请日：2023-09-28

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 吴帅 ,  吴华 ,  章金生 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C23C16/458

摘要： 本实用新型公开了HBC太阳电池及CVD载板装置，HBC太阳电池包括：硅基底，硅基底包括相对的第一表面和第二表面，第一表面包括相邻的第一区域和第二区域；第一本征非晶硅层设在第一区域上，第一掺杂非晶硅层设在第一本征非晶硅层的远离硅基底的表面上；第二本征非晶硅层设在第二区域上，并延伸在第一掺杂非晶硅层的远离第一本征非晶硅层的部分表面上，第二掺杂非晶硅层设在第二本征非晶硅层的远离硅基底的表面上；钝化保护层至少设在硅基底的侧面。本实用新型的HBC太阳电池具有更好的耐受性；同时，降低了HBC太阳电池的制备工艺的复杂度，简化了工艺流程，节约了成本。