公开(公告)号：CN101939689A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880115149.7

申请日：2008-09-10

Applicant: 集成光子学中心有限公司

Inventor： 戴维·格雷汉姆·穆迪

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/017 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02F1/01708 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/122 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12126 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/066

Abstract: 一种电吸收调制器，包括在至少一个p-掺杂半导体层(6)和至少一个n-掺杂半导体层(8)之间的一个吸收层(7)，这些层形成了一个脊形波导结构，吸收层的厚度在9-60nm之间，脊形的宽度在4.5-12微米之间。