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公开(公告)号：CN119921181A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311424689.6
申请日：2023-10-31
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的激光器及其制备方法中，激光器包括封装腔体，封装腔体内部分别设有增益芯片、波长选择组件及反射镜。增益芯片分别包括顶层、底层以及发光层，发光层分别包括第一有源区、无源光栅区及第二有源区。第一有源区发出宽波长范围的光束。无源光栅区的端面可作为激光器的第一谐振端面。反射镜作为激光器的第二谐振端面，与第一谐振端面构成谐振腔。本公开中波长选择组件从宽波长范围的光束中选择出特定波长的光，该特定波长的光在谐振腔内来回振荡，获得增益而形成激光，第二有源区对该激光进一步增益放大，从而提高该激光的输出光功率。通过无源光栅区将第一有源区、第二有源区实现片上集成，从而减小封装腔体体积，使得激光器小型化。
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公开(公告)号：CN119717166A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410135176.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的光模块及混合InP/Si光芯片组件中，包括混合InP/Si光芯片；混合InP/Si光芯片包括：Si平台，集成有硅光电路Si平台上设置有InP区域，InP区域无焊盘；Si平台的顶部设置射频焊盘和直流偏置焊盘，射频焊盘位于InP区域的一侧，直流偏置焊盘位于InP区域的另一侧；InP相位调制器，位于InP区域；InP相位调制器包括InP波导和电极，电极设置在InP波导的顶部，InP波导耦合连接直流偏置焊盘；射频行波导，一端连接射频焊盘、延伸经过InP波导的上方并延伸至InP区域的另一侧；射频行波导连接电极。提升了相位调制器的调制速率，适应高速率光模块的需求。
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公开(公告)号：CN119717137A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410135674.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的混合InP/Si光芯片的制备方法及应用，制备方法包括：形成第一衬底，第一衬底包括衬底层和BOX层，BOX层位于衬底层的上方；在BOX层上方形成Si波导层，刻蚀Si波导层形成输入Si波导和输出Si波导；在刻蚀后的Si波导层周围形成第一SiO2层；在第一SiO2层上方设置InP裸片，InP裸片包括n‑InP层、第一i‑InP层、量子肼层、第二i‑InP层、p‑InP层和第二衬底；刻蚀InP裸片形成InP波导；在InP波导的侧边形成第二SiO2层，第一SiO2层和第二SiO2层形成SiO2层；在第二SiO2层的顶部形成射频焊盘、直流偏置焊盘、射频行波导和电极。适应高速率光模块的需求。
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公开(公告)号：CN119998703A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202480003265.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/14
Abstract: 本公开提供了一种光模块，包括含有激光器组件的光源，激光器组件包括组成谐振腔的半导体增益芯片与波长调谐芯片，波长调谐芯片包括至少一个微环滤波器，至少一个微环滤波器用于从半导体增益芯片发射的光束中筛选出特定波长的光束，微环滤波器包括位于硅波导脊区两侧的第一与第二平板区及接触电极，第一平板区内设有N型掺杂区，第二平板区内设有P型掺杂区，P型掺杂区与N型掺杂区形成与接触电极电连接的PN结，对PN结施加反向偏压可以吸收硅波导脊区、第一与第二平板区内的电子空穴对。
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公开(公告)号：CN119511451A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311082694.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种光模块，包括光芯片、光纤及与光纤耦合连接的波导耦合器，波导耦合器包括沿外延生长方向设置的衬底、第一包层与第二包层，衬底的折射率大于第二包层的折射率，第二包层的折射率大于第一包层的折射率；第二包层内设有第一与第二耦合波导及位于第一与第二耦合波导之间的至少一个过渡波导，第一耦合波导与光纤耦合连接，第一耦合波导与过渡波导间的间隙大于第二耦合波导与过渡波导间的间隙，第一耦合波导与过渡波导间的重合长度大于第二耦合波导与过渡波导间的重合长度，第一耦合波导传输的光信号经由至少一个过渡波导与第二耦合波导耦合至光芯片。本公开在耦合波导与衬底之间增设折射率较低的包层，降低了衬底泄露损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119493220A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311019057.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本公开提供了一种光模块，包括光源、相干光芯片与控制器，相干光芯片包括第一耦合端口、与第一耦合端口连接的分光器组及与分光器组的一输出端连接的波长锁定器，第一耦合端口用于接收光源产生的本振光，分光器组用于将本振光分为多路本振分光；波长锁定器包括光程不同的两个波导及多模干涉耦合器，波长锁定器将一路本振分光分为两束光，两束光经由两个波导传输，并由多模干涉耦合器输出至少两路不同相位的探测光；控制器获取至少两路探测光的光功率，根据光功率及控制器内的光功率与波长的关系曲线确定本振光的波长，根据本振光波长与预设波长的波长差调整光源输出的本振光波长。本公开在相干光芯片内集成波长锁定器，降低了光源的封装复杂度。
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公开(公告)号：CN119817048A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202480003026.3
申请日：2024-08-09
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: H04B10/25
Abstract: 本公开提供的光模块具有相干组件，接收本振光与第一光信号，并对本振光与第一光信号进行相干解调。接收光电探测器对第一光信号生成光生电流。跨阻放大器接收光生电流，将光生电流进行放大输出电压信号。模数转换采样器将电压信号转换为AD采样值，并将AD采样值传递至MCU公式，通过将AD采样值带入基准光功率公式计算得到基准光功率值，根据当前频率值带入频率偏差公式计算得到当前频率偏差。利用基准光功率值减去当前频率偏差得到光功率计算值作为上报光功率。
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公开(公告)号：CN120044654A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311584680.1
申请日：2023-11-24
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种光模块，包括相干光组件，相干光组件包括盖壳和基板，基板固定于电路板上，基板与电路板电连接，盖壳罩设于相干基板上，以形成置物腔，置物腔内设有光芯片、光匹配芯片及电转接固定件，光芯片和光匹配芯片的第一面设有焊盘，光芯片和光匹配芯片的第二面贴装于盖壳。电转接固定件固定于基板上，电转接件与基板电连接，电转接固定件与光芯片及光匹配芯片的焊盘打线连接。电转接固定件具有多个挖空区域，光芯片和光匹配芯片放置于对应的挖空区域内，光芯片和光匹配芯片的第一面与基板之间有间隙。本申请中，光芯片和光匹配芯片的第一面设置有焊盘，光芯片和光匹配芯片的第二面贴装于盖壳上，提高散热效率。
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公开(公告)号：CN119518423A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311082724.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的激光芯片及光模块中，包括电路板、相干光组件、光源，相干光组件用于进行光信号的调制与解调，光源为相干光组件提供不携带数据的光，以使相干光组件根据不携带数据的光进行光信号的调制。其中，光源包括激光芯片，激光芯片包括增益区、第一光栅区与第二光栅区，第一光栅区与第二光栅区分别位于增益区的两侧，第二光栅区包括相互连接的连续不刻蚀段及间隔刻蚀段，连续不刻蚀段不会产生折射率差，从而不会对增益光进行反射，间隔刻蚀段内折射率周期性变化，从而对增益光进行反射，本申请的第一光栅区在保持长度不变的前提下，通过设置连续不刻蚀段，从而降低其反射率，从而本申请实现保证线宽的前提下，增加出光光功率。
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公开(公告)号：CN119511444A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311085828.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种光模块及光芯片的制备方法，光模块包括光芯片与光纤，光芯片包括第一衬底、设于第一衬底上的第一掩埋层、设于第一掩埋层上的第一包层、设于第一包层上的第二包层及设于第二包层上的第二掩埋层，第一包层内设有远离第一衬底的第一波导与第一金属电极组，第一波导与第一衬底之间具有第一间隙；第二包层内设有远离第一包层的第二波导及靠近第一包层的第二金属电极组，第二金属电极组与第一金属电极组键合连接，第二波导与第一波导耦合连接，第二与第一波导之间具有第二间隙，光纤与第一波导耦合连接。本公开中光芯片具有两个衬底，以在光芯片内集成距离衬底非常远的第一波导，增加了第一波导与衬底间的距离，减少了衬底泄露损耗。
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