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公开(公告)号：CN117800284A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410142686.1
申请日：2024-02-01
申请人： 青岛芯笙微纳电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器，制作步骤包括：提供一衬底，并在衬底上形成阶梯状的凹台；在衬底和凹台上依次形成支撑层、具有预设图形的导电层和绝缘层；在衬底上形成隔热腔体。其中，凹台和部分导电层位于隔热腔体的上方。通过本发明制作方法得到的流量传感器，不仅具有体积小、响应快、稳定性高等优点，还利用凹台结构，选择性地增大区域热阻，有利于减少该区域热量散失，提高整体热利用效率，可在不增大传感器尺寸或提高传感器功耗的前提下，有效提高其灵敏度。
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公开(公告)号：CN117800283A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410141853.0
申请日：2024-02-01
申请人： 青岛芯笙微纳电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器，制作方法包括如下步骤：提供一衬底，于衬底上形成牺牲层，并在牺牲层上刻蚀出窗口；在衬底上形成具有圆弧形截面的内腔，随后去除牺牲层；于衬底及内腔的上表面形成支撑层，并在支撑层表面形成加热元件和感温元件；形成至少覆盖加热元件和感温元件的绝缘层，并在绝缘层上刻蚀出窗口；在衬底上形成隔热腔体，内腔位于隔热腔体的上方。通过本发明制作方法得到的流量传感器，不仅具有体积小、响应快、稳定性高等优点，还利用内腔结构，选择性地增大区域热阻，有利于减少该区域热量散失，提高整体热利用效率，可在不增大传感器尺寸或提高传感器功耗的前提下，有效提高其灵敏度。
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公开(公告)号：CN117756053A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410142699.9
申请日：2024-02-01
申请人： 青岛芯笙微纳电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器，制作方法包括如下步骤：提供一衬底，在衬底上形成多孔硅，通过热氧化使多孔硅形成多孔氧化硅；去除多孔氧化硅，以在衬底上形成内腔结构；于衬底及内腔的上表面形成支撑层，并在支撑层表面形成加热元件和感温元件；形成至少覆盖加热元件和感温元件的绝缘层，并在绝缘层上刻蚀出窗口；在衬底上形成隔热腔体，内腔位于隔热腔体的上方。通过本发明制作方法得到的流量传感器，不仅具有体积小、响应快、稳定性高等优点，还利用内腔结构，选择性地增大区域热阻，有利于减少该区域热量散失，提高整体热利用效率，可在不增大传感器尺寸或提高传感器功耗的前提下，有效提高其灵敏度。
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公开(公告)号：CN117756052A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410142648.6
申请日：2024-02-01
申请人： 青岛芯笙微纳电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器，制作步骤包括：提供一衬底，于衬底上形成牺牲层，并在牺牲层上刻蚀出窗口；在衬底上形成具有倒梯形截面的凹台，随后去除牺牲层；于衬底及凹台的上表面形成支撑层，并在支撑层表面形成加热元件和感温元件；形成至少覆盖加热元件和感温元件的绝缘层，并在绝缘层上刻蚀出窗口；在衬底上形成隔热腔体，凹台位于隔热腔体的上方。通过本发明制作方法得到的流量传感器，不仅具有体积小、响应快、稳定性高等优点，还利用凹台结构，选择性地增大区域热阻，有利于减少该区域热量散失，提高整体热利用效率，可在不增大传感器尺寸或提高传感器功耗的前提下，有效提高其灵敏度。
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