冷结晶-正浮选工艺产生的尾盐水的处理系统和方法

    公开(公告)号:CN117602656A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311690096.4

    申请日:2023-12-11

    IPC分类号: C01F5/30 C01D3/06

    摘要: 本发明提供冷结晶‑正浮选工艺产生的尾盐水的处理系统,尾盐水是利用冷结晶‑正浮选工艺利用光卤石生产氯化钾之后剩余的料浆,包括:搅拌器、光卤石池、老卤池。搅拌器是容器,用于将尾盐水和高镁尾矿搅拌掺兑,形成第二成矿卤水;光卤石池是多个由溜槽串联的摊晒池,用于将第二成矿卤水摊晒析出用于提取氯化钾的光卤石,第二成矿卤水在析出光卤石后变为老卤;老卤池是连接在光卤石池下游的摊晒池,用于摊晒老卤形成用于掺兑尾盐水的高镁尾矿。将第二成矿卤水进行摊晒,不会形成钾石盐,会直接形成光卤石,使得光卤石产率增加,能够缩短摊晒周期、提高摊晒效率。出于相同的发明构思,本发明还提供冷结晶‑正浮选工艺产生的尾盐水的处理方法。

    输卤渠的防渗漏结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117626903A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311589426.0

    申请日:2023-11-27

    摘要: 本发明涉输卤渠的防渗漏结构,所述输卤渠包括坝体以及开设在所述坝体表面,沿所述坝体延伸出的基槽构成,其特征在于:还包括尾盐层、粘土层,所述坝体设置在地面上由土石材料夯实制成,横截面呈上小下宽的梯形,所述基槽由所述坝体上表面向下开挖形成,横截面成“U”字状,所述基槽的表面由内向外分别覆盖有尾盐层和粘土层作为防渗层,所述尾盐层由高钠尾盐结晶与老卤制备而成,所述粘土层由粘土压实构成。由于从粘土层下渗的卤水会先溶解老卤中的氯化镁,使得下渗的卤水达到饱和,这些饱和的卤水既不会在窄道中流动、也不会继续溶解盐分而下渗,尤其是不会溶解起到支撑作用的氯化钠尾盐结晶颗粒,因此能起到很好的防渗、防坍塌效果。

    一种盐田晒制光卤石系统

    公开(公告)号:CN112010329A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010884666.3

    申请日:2020-08-28

    IPC分类号: C01D3/06

    摘要: 本发明公开一种盐田晒制光卤石系统,包括多个光卤石池,各个光卤石池具有高低不同的水位,根据水位高低按序连接各个光卤石池,各个光卤石池呈矩形,包括第一进水口和第一出水口,第一进水口与第一出水口设置在光卤石池的对角上,呈对角线分布,前一光卤石池的第一出水口同时作为后一光卤石池的第一进水口,使成矿卤水自第一个光卤石池的第一进水口流入,从第一出水口流出至下一个光卤石池,再从该光卤石池的第一出水口流出至下一个光卤石池,直至从最后一个光卤石池的第一出水口排出。本申请将光卤石池的进水口和出水口设为对角线分布,延长了工艺走水路线,提高卤水停滞时间,减小横向及纵向卤水浓度差值。

    滩晒卤水制备钾石盐的方法和系统

    公开(公告)号:CN118125471A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410252428.9

    申请日:2024-03-06

    摘要: 本发明涉及滩晒卤水制备钾石盐的方法,包括:将采区100采集到的原卤导入钠盐池(5)滩晒。原卤在Na+、K+、Mg2+//Cl‑—H2O四元体系相图的干基图中的系统点位于氯化钠结晶区。在钠盐池(5)中原卤滩晒至在干基图上液相点位于氯化钾和氯化钠结晶线,析出氯化钠。在降温季节将钠盐池中的液相导入第一调节池(5)进行滩晒,初始时卤水的系统点在干基图中位于氯化钾和氯化钠结晶线上,随着水分蒸发,在降温季节结束前卤水在干基图中的液相点移动到光卤石饱和点析出钾石盐。在升温季节,则将液相导入第二调节池(6)滩晒至氯化钠过饱和析出氯化钠。因此能够避免升温季节析出的氯化钠混合到钾石盐中造成氯化钾品质下降。

    光卤石池的底部结构
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118121977A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410254210.7

    申请日:2024-03-06

    IPC分类号: B01D9/02

    摘要: 本发明涉及具有池板的光卤石池,光卤石池(1)由横截面为梯形的原土池壁(11)围成,光卤石池(1)的池底形成平整的原土夯实层(12),原土夯实层(12)表面覆盖有池板(4),池板(4)是由高钠卤水摊晒形成的高钠结晶层压实而成。出于相同的发明构思,还提供池板的制作方法,将高钠卤水泵入光卤石池(1)达到第一液位,利用太阳能摊晒高钠卤水形成高钠结晶层,原卤变为成矿卤水时排出光卤石池(1),之后压实高钠结晶层形成池板(4)。池板(4)能够保护池底的夯实原土层(12)不被水采船破坏,防止形成泥浆,从而避免泥质污染光卤石矿、妨碍光卤石矿结晶,或造成卤水渗漏,导致钾资源流失。

    生产光卤石的方法及系统
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116216750A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310261423.8

    申请日:2023-03-16

    IPC分类号: C01F5/00

    摘要: 本发明提供了一种生产光卤石的方法及系统。其中,上述方法包括:S1,蒸发浓缩尾盐矿浆,得到第一溶液;S2,将第一溶液与F卤进行兑卤,获得第二溶液的同时,析出部分光卤石;S3,使第二溶液从第一环境温度降至第二环境温度,析出剩余部分光卤石;其中,第二溶液从第一环境温度降温至第二环境温度后变为F卤;第一环境温度高于第二环境温度,第一环境温度为8~12℃,第二环境温度为‑8~‑12℃。适用于盐化工领域,能够解决现有技术中难以在低蒸发季节生产光卤石的问题。

    一种盐田晒制光卤石系统

    公开(公告)号:CN112010329B

    公开(公告)日:2023-02-07

    申请号:CN202010884666.3

    申请日:2020-08-28

    IPC分类号: C01D3/06

    摘要: 本发明公开一种盐田晒制光卤石系统,包括多个光卤石池,各个光卤石池具有高低不同的水位,根据水位高低按序连接各个光卤石池,各个光卤石池呈矩形,包括第一进水口和第一出水口,第一进水口与第一出水口设置在光卤石池的对角上,呈对角线分布,前一光卤石池的第一出水口同时作为后一光卤石池的第一进水口,使成矿卤水自第一个光卤石池的第一进水口流入,从第一出水口流出至下一个光卤石池,再从该光卤石池的第一出水口流出至下一个光卤石池,直至从最后一个光卤石池的第一出水口排出。本申请将光卤石池的进水口和出水口设为对角线分布,延长了工艺走水路线,提高卤水停滞时间,减小横向及纵向卤水浓度差值。

    一种用于滩晒光卤石的盐田结构

    公开(公告)号:CN213506017U

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202022227076.1

    申请日:2020-10-09

    IPC分类号: C01F5/30

    摘要: 本实用新型公开一种用于滩晒光卤石的盐田结构,包括多个独立的光卤石池,至少两个相邻、但水位高低不同的光卤石池组成光卤石池组,光卤石池组中各光卤石池按照水位高低通过溜槽闸箱连通,最高水位的光卤石池与导卤泵站连通,最低水位的光卤石池与排卤泵站连通;至少两组相邻的光卤石池组组成单元格模块,单元格模块中光卤石池组之间,光卤石池与相邻光卤石池组中水位相近的光卤石池通过溜槽闸箱连通。本申请提供用于滩晒光卤石的盐田结构,将多个光卤石池串并联设置分别走水,各单元格模块相对独立,从进卤到中间自流控制,再到排卤的整个过程都自成体系,使各池卤水均衡、成矿均匀,提升整个盐田成矿率,达到精准分布矿厚、精准卤水控制的目的。