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公开(公告)号：CN110249437B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980000941.6
申请日：2019-01-09
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种发光装置。根据本发明的一实施例的发光装置包括基板、第一发光芯片、第一波长转换部件及阻隔部件。第一发光芯片贴装于基板上。第一波长转换部件覆盖第一发光芯片的上表面。第一反射部件覆盖第一波长转换部件的侧面。并且，阻隔部件包括围绕第一发光芯片及第一反射部件的侧面的外壁部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029458B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201911374369.8
申请日：2019-01-09
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L33/60 , H01L33/54 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种发光装置。根据本发明的一实施例的发光装置包括基板、第一发光芯片、第一波长转换部件及阻隔部件。第一发光芯片贴装于基板上。第一波长转换部件覆盖第一发光芯片的上表面。第一反射部件覆盖第一波长转换部件的侧面。并且，阻隔部件包括围绕第一发光芯片及第一反射部件的侧面的外壁部。
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公开(公告)号：CN116745910A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180090493.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L25/075
Abstract: 根据本发明的一实施例的发光装置包括：基板；多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；多个光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层；以及第一凹槽，设置于位于所述光透射层之间的所述侧壁部的至少一部分的上表面，其中，所述第一凹槽具有小于从最相邻的光透射层到所述第一凹槽的最短宽度的宽度，并且具有小于最相邻的所述光透射层的厚度的深度。
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公开(公告)号：CN117941085A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280062163.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L33/50 , F21S41/141 , H01L33/48
Abstract: 根据一实施例的发光模块包括：基板；多个发光二极管芯片，布置于所述基板上；多个波长转换器，分别布置于所述多个发光二极管芯片上；以及白壁，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个波长转换器，其中，所述多个波长转换器分别包括相对于波长转换器的上表面以80度以下的倾斜角倾斜的侧面。
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公开(公告)号：CN111029458A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911374369.8
申请日：2019-01-09
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L33/60 , H01L33/54 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种发光装置。根据本发明的一实施例的发光装置包括基板、第一发光芯片、第一波长转换部件及阻隔部件。第一发光芯片贴装于基板上。第一波长转换部件覆盖第一发光芯片的上表面。第一反射部件覆盖第一波长转换部件的侧面。并且，阻隔部件包括围绕第一发光芯片及第一反射部件的侧面的外壁部。
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公开(公告)号：CN110249437A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201980000941.6
申请日：2019-01-09
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种发光装置。根据本发明的一实施例的发光装置包括基板、第一发光芯片、第一波长转换部件及阻隔部件。第一发光芯片贴装于基板上。第一波长转换部件覆盖第一发光芯片的上表面。第一反射部件覆盖第一波长转换部件的侧面。并且，阻隔部件包括围绕第一发光芯片及第一反射部件的侧面的外壁部。
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