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公开(公告)号：CN116300147A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211511219.9
申请日：2022-11-29
申请人： 首都师范大学
摘要： 本发明提供了一种基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件、太赫兹波调制系统、信息加密系统。其中，电流调制太赫兹器件包括：对太赫兹波透明的基底；形成于基底上的VO2层；形成于VO2层上的微谐振器；微谐振器包括：形成于VO2层上，用于加载偏置电流，左右对称的电流正极端和电流负极端；形成于VO2层上，电流正极端和电流负极端内侧，左右对称，阵列布置的N×M个谐振单元，N≥2，M≥2；谐振单元呈具有LC共振模式的裂环结构，每行的M个谐振单元依次串联，N行谐振单元的两端分别连接至电流正极端和电流负极端。本发明相比于激光照射、电压调控、传统热控等方式，具有操作简单，更易于同当前集成电路技术相融合等优势。
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公开(公告)号：CN112285952B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202010980978.4
申请日：2020-09-17
申请人： 首都师范大学
摘要： 本发明提供一种基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制器件及系统，将金属微结构形成的金属阵列与二氧化钒薄膜进行耦合，通过设计不同的超材料结构单元可获得不同频率记忆效应的THz调制器件；本发明在室温下将离子凝胶中氢离子注入二氧化钒薄膜，同时通过栅极直流电压源施加调控电压控制二氧化钒薄膜中氢离子的掺杂程度，明显降低调控所需的功耗，实现了对二氧化钒薄膜电导态的实时调控，能够建立起调控电压正负、大小、时间和二氧化钒薄膜电导以及THz透过率之间的数值对应关系，进而实现对记忆型THz调制器件性能的实时数字化可控；本发明还能在室温下即可实现对THz波调制的精确控制，完成基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆
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公开(公告)号：CN112285952A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010980978.4
申请日：2020-09-17
申请人： 首都师范大学
摘要： 本发明提供一种基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制器件及系统，将金属微结构形成的金属阵列与二氧化钒薄膜进行耦合，通过设计不同的超材料结构单元可获得不同频率记忆效应的THz调制器件；本发明在室温下将离子凝胶中氢离子注入二氧化钒薄膜，同时通过栅极直流电压源施加调控电压控制二氧化钒薄膜中氢离子的掺杂程度，明显降低调控所需的功耗，实现了对二氧化钒薄膜电导态的实时调控，能够建立起调控电压正负、大小、时间和二氧化钒薄膜电导以及THz透过率之间的数值对应关系，进而实现对记忆型THz调制器件性能的实时数字化可控；本发明还能在室温下即可实现对THz波调制的精确控制，完成基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制系统的写入、读取以及擦除。
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公开(公告)号：CN114200694B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111460146.0
申请日：2021-12-02
申请人： 首都师范大学
摘要： 本发明提供了一种光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：半导体衬底；以及形成于半导体衬底上的杂化结构，该杂化结构包括：微纳耦合结构，以及分散至微纳耦合结构的多个的金纳米双锥；其中，所述金纳米双锥的长径比大于等于1。本发明中，集成了金纳米材料非凡的等离子体共振特性以及纳米双锥的独特结构特征，金纳米双锥具有更大的局部电场增强、更大的光学截面、更窄的线宽、更好的形状和尺寸均匀性以及更高的折射率灵敏度，大大提升了光控太赫兹调控芯片的适用范围。
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公开(公告)号：CN114200694A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111460146.0
申请日：2021-12-02
申请人： 首都师范大学
摘要： 本发明提供了一种光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：半导体衬底；以及形成于半导体衬底上的杂化结构，该杂化结构包括：微纳耦合结构，以及分散至微纳耦合结构的多个的金纳米双锥；其中，所述金纳米双锥的长径比大于等于1。本发明中，集成了金纳米材料非凡的等离子体共振特性以及纳米双锥的独特结构特征，金纳米双锥具有更大的局部电场增强、更大的光学截面、更窄的线宽、更好的形状和尺寸均匀性以及更高的折射率灵敏度，大大提升了光控太赫兹调控芯片的适用范围。
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公开(公告)号：CN112816434A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011615202.9
申请日：2020-12-30
申请人： 首都师范大学
IPC分类号： G01N21/3581 , G01N21/3577
摘要： 本发明提供了一种太赫兹波浓度检测套件。该太赫兹波浓度检测套件包括：太赫兹波浓度传感芯片和与太赫兹波浓度传感芯片配套使用的单独NC浸润膜片；太赫兹波浓度传感芯片包括：基底，其对太赫兹波透明；以及形成于基底上的传感结构阵列；其中，传感结构为三圈同心圆环形状的金属薄膜，传感结构阵列包括：N×M个传感结构，N≥10，M≥10；NC浸润膜片为硝酸纤维素膜，其能够在浸润溶液样本后覆盖于太赫兹波浓度传感芯片上传感结构阵列所在区域的上方。本发明能够极大地提升浓度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN219266718U
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202223176227.0
申请日：2022-11-29
申请人： 首都师范大学
摘要： 本实用新型提供了一种电流调制太赫兹器件、太赫兹波调制系统、信息加密系统。其中，电流调制太赫兹器件包括：对太赫兹波透明的基底；形成于基底上的VO2层；形成于VO2层上的微谐振器；微谐振器包括：形成于VO2层上，用于加载偏置电流，左右对称的电流正极端和电流负极端；形成于VO2层上，电流正极端和电流负极端内侧，左右对称，阵列布置的N×M个谐振单元，N≥2，M≥2；在水平方向上，谐振单元上下对称，包括：封闭环；分别穿过封闭环左、右两侧的左延伸臂和右延伸臂；左、右延伸臂之间形成矩形开口区域。本实用新型相比于激光照射、电压调控、传统热控等方式，具有操作简单，更易于同当前集成电路技术相融合等优势。
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公开(公告)号：CN214174155U
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202023345548.X
申请日：2020-12-30
申请人： 首都师范大学
IPC分类号： G01N21/3581 , G01N21/3577
摘要： 本实用新型提供了一种太赫兹波浓度传感芯片和检测套件。该太赫兹波浓度传感芯片包括：基底，其对太赫兹波透明；以及形成于基底上的传感结构阵列；其中，传感结构为三圈同心圆环形状的金属薄膜，传感结构阵列包括：N×M个传感结构，N≥10，M≥10。本实用新型能够极大地提升浓度检测的准确性。
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