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公开(公告)号:CN115740886A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211399894.7
申请日:2022-11-09
申请人: 首都航天机械有限公司
IPC分类号: B23K37/02
摘要: 本申请公开了一种大角度悬空结构电弧增材制造路径规划方法,涉及电弧增材制造领域,包括建立悬空结构件的工件坐标系,竖直向上的方向为Z轴,悬空结构件与Z轴正向之间的角度为30°‑90°,对低熔点的悬空结构件的待增材区域,采用平面分层切片方法进行分层切片,并生成三坐标(x,y,z)成形路径;每一层的分层切片,均沿着成形路径进行成形,直到每一层分层切片成形至悬空部位时,沉积头相对于竖直方向倾转30°‑60°,并沿着悬空结构的生长方向指向待成形悬空结构端面。能够对低熔点的大角度悬空结构进行精确成形。