公开(公告)号：CN101086962A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710086301.0

申请日：2007-03-13

申请人： 香港科技大学

发明人： 郭海成 ,  王文 ,  孟志国 ,  赵淑云 ,  吴春亚

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

摘要： 本发明提供一种非晶硅金属诱导晶化方法。以非晶硅为初始材料，通过对非晶硅上LTO进行光刻制备出相应的图案。其中面积较大的被称作定位孔，面积较小的被称作镍源补充孔。然后沉积微量镍，诱导产生大晶粒的多晶硅。特别是，金属被引入非晶材料上的选定位置，其浓度略高于开始发生诱导晶化的最低浓度，在其他的位置引入金属，但其浓度小于发生诱导晶化的浓度，可为保证晶化速度和结晶质量提供诱导金属。如上设置的金属元素引入后，对非晶薄膜进行热退火。结果会形成大晶粒尺寸并按设计排列的多晶硅薄膜。用该方法可以制备出高均匀性，高质量的多晶硅薄膜，且工艺重复性好。

公开(公告)号：CN101681930B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880018195.5

申请日：2008-02-04

申请人： 香港科技大学

发明人： 郭海成 ,  王文 ,  孟志国 ,  赵淑云

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

摘要： 一种低温多晶硅器件和使其具有优异性能的制造技术。采用我们称为搭桥晶粒结构(BG)的掺杂多晶硅线，本征或轻掺杂的沟道被分成多个区域。覆盖包括所述掺杂的线的整个有源沟道的单个栅仍旧被用来控制电流。将该BG多晶硅用作有源层并且确保所述TFT的设计使得电流垂直于所述晶粒的平行线流动，晶界影响可以减小。与常规低温多晶硅TFT相比，所述BG多晶硅TFT的可靠性、均匀性和电性能大大改善。

公开(公告)号：CN101681930A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880018195.5

申请日：2008-02-04

申请人： 香港科技大学

发明人： 郭海成 ,  王文 ,  孟志国 ,  赵淑云

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

摘要： 一种低温多晶硅器件和使其具有优异性能的制造技术。采用我们称为搭桥晶粒结构(BG)的掺杂多晶硅线，本征或轻掺杂的沟道被分成多个区域。覆盖包括所述掺杂的线的整个有源沟道的单个栅仍旧被用来控制电流。将该BG多晶硅用作有源层并且确保所述TFT的设计使得电流垂直于所述晶粒的平行线流动，晶界影响可以减小。与常规低温多晶硅TFT相比，所述BG多晶硅TFT的可靠性、均匀性和电性能大大改善。

公开(公告)号：CN101086962B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200710086301.0

申请日：2007-03-13

申请人： 香港科技大学

发明人： 郭海成 ,  王文 ,  孟志国 ,  赵淑云 ,  吴春亚

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

摘要： 非晶硅金属诱导晶化方法，本发明提供一种非晶硅金属诱导晶化方法。以非晶硅为初始材料，通过对非晶硅上LTO进行光刻制备出相应的图案。其中面积较大的被称作定位孔，面积较小的被称作镍源补充孔。然后沉积微量镍，诱导产生大晶粒的多晶硅。特别是，金属被引入非晶材料上的选定位置，其浓度略高于开始发生诱导晶化的最低浓度，在其他的位置引入金属，但其浓度小于发生诱导晶化的浓度，可为保证晶化速度和结晶质量提供诱导金属。如上设置的金属元素引入后，对非晶薄膜进行热退火。结果会形成大晶粒尺寸并按设计排列的多晶硅薄膜。用该方法可以制备出高均匀性，高质量的多晶硅薄膜，且工艺重复性好。