公开(公告)号：CN111527694B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201880083615.1

申请日：2018-12-21

申请人： 高通股份有限公司

发明人： R·卡马克 ,  范斌

IPC分类号： H03F3/45

摘要： 本公开的某些方面通常涉及一种使用互补金属氧化物半导体(CMOS)结构实现的差分放大器。该差分放大器通常包括第一对晶体管和耦合到第一对晶体管的第二对晶体管。第一对晶体管的栅极和第二对晶体管的栅极可以被耦合到差分放大器的相应差分输入节点，并且第一对晶体管的漏极和第二对晶体管的漏极可以被耦合到差分放大器的相应差分输出节点。在某些方面中，差分放大器可以包括偏置晶体管，该偏置晶体管具有被耦合到第一对晶体管中的一个晶体管的源极的漏极，并且该偏置晶体管具有耦合到差分放大器的共模反馈(CMFB)路径的栅极。

公开(公告)号：CN109565291A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049938.4

申请日：2017-07-19

申请人： 高通股份有限公司

发明人： S·安德拉比 ,  R·卡马克

IPC分类号： H04B1/00 ,  H03H11/12

摘要： 本公开的某些方面提供了用于校准可调谐有源滤波器的方法和装置。一个示例装置是一种滤波器电路，其一般地包括：可调谐有源滤波器，包括至少一个放大器和耦合在至少一个放大器的输入与输出之间的第一反馈路径，第一反馈路径包括至少一个开关；以及限幅器，耦合到可调谐有源滤波器并且包括设置在耦合在至少一个放大器的输入与输出之间的第二反馈路径中的至少一个晶体管。

公开(公告)号：CN110915142B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201880047593.3

申请日：2018-05-21

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 卓伟 ,  T·D·盖茨曼 ,  许文榜 ,  常立钟 ,  李瑞 ,  R·卡马克

IPC分类号： H04B1/10 ,  H04L5/00 ,  H04B1/00 ,  H04B1/30 ,  H03D3/00 ,  H03D7/16

摘要： 一种滤波器电路可以包括具有第一复基带滤波器的第一路径。该电路还可以包括具有第二复基带滤波器的第二路径。该电路还可以包括组合器，该组合器耦合到第一复基带滤波器的输出和第二复基带滤波器的输出。本公开的方面提供了一种用于促进载波聚合(CA)(诸如不连续CA)的射频(RF)基带滤波器。在一些方面中，RF基带滤波器可以在滤除干扰的同时独立地调节不同频率的不同带宽组合的增益。RF基带滤波器的优点包括与使用两个单独的下行链路路径(DLP)的架构相比当前消耗的显著减少和用于独立增益控制的灵活性。

公开(公告)号：CN109314498A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035160.1

申请日：2017-05-15

申请人： 高通股份有限公司

发明人： R·卡马克

IPC分类号： H03F3/45

摘要： 本公开的某些方面一般地涉及使用交叉耦合晶体管用于放大级的源极退化。例如，放大级一般包括：包括晶体管的差分放大器、耦合到差分放大器的交叉耦合晶体管、以及耦合在交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。在某些方面，差分放大器包括推挽式放大器，并且推挽式放大器的晶体管包括串叠式连接的晶体管。

公开(公告)号：CN109565291B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201780049938.4

申请日：2017-07-19

申请人： 高通股份有限公司

发明人： S·安德拉比 ,  R·卡马克

IPC分类号： H04B1/00 ,  H03H11/12

摘要： 本公开的某些方面提供了用于校准可调谐有源滤波器的方法和装置。一个示例装置是一种滤波器电路，其一般地包括：可调谐有源滤波器，包括至少一个放大器和耦合在至少一个放大器的输入与输出之间的第一反馈路径，第一反馈路径包括至少一个开关；以及限幅器，耦合到可调谐有源滤波器并且包括设置在耦合在至少一个放大器的输入与输出之间的第二反馈路径中的至少一个晶体管。

公开(公告)号：CN110915142A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880047593.3

申请日：2018-05-21

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 卓伟 ,  T·D·盖茨曼 ,  许文榜 ,  常立钟 ,  李瑞 ,  R·卡马克

IPC分类号： H04B1/10 ,  H04L5/00 ,  H04B1/00 ,  H04B1/30 ,  H03D3/00 ,  H03D7/16

摘要： 一种滤波器电路可以包括具有第一复基带滤波器的第一路径。该电路还可以包括具有第二复基带滤波器的第二路径。该电路还可以包括组合器，该组合器耦合到第一复基带滤波器的输出和第二复基带滤波器的输出。本公开的方面提供了一种用于促进载波聚合(CA)(诸如不连续CA)的射频(RF)基带滤波器。在一些方面中，RF基带滤波器可以在滤除干扰的同时独立地调节不同频率的不同带宽组合的增益。RF基带滤波器的优点包括与使用两个单独的下行链路路径(DLP)的架构相比当前消耗的显著减少和用于独立增益控制的灵活性。

公开(公告)号：CN115699576A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180041962.X

申请日：2021-05-13

申请人： 高通股份有限公司

发明人： M·巴赫希亚尼 ,  H·拉克达瓦拉 ,  A·阿巴斯·莫哈梅德·赫尔米 ,  R·卡马克 ,  S·古哈多斯 ,  F·盖塔

IPC分类号： H03H11/12 ,  H03H11/04 ,  H04B1/10

摘要： 一个方面包括一种滤波方法，包括：操作第一滤波器来对第一输入信号进行滤波以生成第一输出信号；操作第二滤波器来对第二输入信号进行滤波以生成第二输出信号；以及将第二滤波器的至少一部分与第一滤波器选择性地耦合，来对第三输入信号进行滤波以生成第三输出信号。另一个方面包括一种滤波方法，包括：操作开关设备以将滤波器配置为具有第一组(多个)极点；利用配置有第一组(多个)极点的滤波器对第一输入信号进行滤波以生成第一输出信号；操作开关设备以将滤波器配置为具有第二组多个极点；利用配置有第二组多个极点的滤波器对第二输入信号进行滤波以生成第二输出信号。

公开(公告)号：CN111527694A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201880083615.1

申请日：2018-12-21

申请人： 高通股份有限公司

发明人： R·卡马克 ,  范斌

IPC分类号： H03F3/45

摘要： 本公开的某些方面通常涉及一种使用互补金属氧化物半导体(CMOS)结构实现的差分放大器。该差分放大器通常包括第一对晶体管和耦合到第一对晶体管的第二对晶体管。第一对晶体管的栅极和第二对晶体管的栅极可以被耦合到差分放大器的相应差分输入节点，并且第一对晶体管的漏极和第二对晶体管的漏极可以被耦合到差分放大器的相应差分输出节点。在某些方面中，差分放大器可以包括偏置晶体管，该偏置晶体管具有被耦合到第一对晶体管中的一个晶体管的源极的漏极，并且该偏置晶体管具有耦合到差分放大器的共模反馈(CMFB)路径的栅极。