公开(公告)号：CN118476017A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202380015895.3

申请日：2023-02-01

申请人： 高通股份有限公司

发明人： T·H-M·威廉姆斯 ,  K·A·谢克 ,  C·罗氏 ,  H·李 ,  R·L·米尔斯 ,  K·K·坎萨加拉 ,  S·海根 ,  G·萨姆森

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/02

摘要： 在某些方面，一种管芯包括：在第一方向上延伸的鳍；在该鳍上形成的栅极，其中该栅极在垂直于该第一方向的第二方向上延伸；以及在该鳍上形成的源极/漏极接触层，其中该源极/漏极接触层在该第二方向上延伸，并且该栅极与该源极/漏极接触层交错。该管芯还包括：第一栅极金属层；第二栅极金属层，其中该源极/漏极接触层在该第二方向上位于该第一栅极金属层与该第二栅极金属层之间；第一栅极过孔，该第一栅极过孔将该第一栅极金属层电耦合到该栅极；以及第二栅极过孔，该第二栅极过孔将该第二栅极金属层电耦合到该栅极。

公开(公告)号：CN118160093A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071754.9

申请日：2022-10-07

申请人： 高通股份有限公司

发明人： T·H-M·威廉姆斯 ,  M·C·库比特 ,  L·陈 ,  K·K·坎萨加拉 ,  S·海根

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L27/118 ,  G06F30/392 ,  H01L27/092

摘要： 一种IC，该IC包括第一组MOS晶体管，该第一组MOS晶体管被配置为具有公共第一晶体管源极/漏极端子A、第一晶体管栅极和第一晶体管源极/漏极端子B。此外，该IC包括耦合到该第一晶体管源极/漏极端子A的第一多个互连件叠堆。该第一多个互连件叠堆中的每个互连件叠堆在该第一组MOS晶体管的至少一部分上沿第二方向延伸，并且包括连续的金属层互连件。此外，IC包括沿与第二方向正交的第一方向延伸的第一梳状互连件结构，其中梳齿在第一组MOS晶体管和第一多个互连件叠堆的至少一部分上沿第二方向延伸。第一梳状互连件结构耦合到第一多个互连件叠堆。

公开(公告)号：CN115769173A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180048140.4

申请日：2021-07-28

申请人： 高通股份有限公司

发明人： G·萨姆森 ,  S·海根 ,  J·K·米斯特里 ,  P·古普塔 ,  K·K·坎萨加拉 ,  K·梅迪赛蒂 ,  R·维兰谷迪皮查 ,  A·舍帕拉玛蒂

IPC分类号： G06F1/3296

摘要： 一种片上系统(SOC)，包括：第一存储器块和第二存储器块；处理单元，耦合到该第一存储器块和该第二存储器块；第一功率复用器，设置在该第一存储器块和该第二存储器块之间，并且耦合到第一功率轨，该第一功率轨被配置为向该第一存储器块和该第二存储器块提供操作电压；使能逻辑电路系统，设置在该SOC的远离该第一存储器块和该第二存储器块的外围，该使能逻辑耦合到该第一功率复用器的控制端子。

公开(公告)号：CN115699311A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180037592.2

申请日：2021-05-10

申请人： 高通股份有限公司

发明人： R·维兰谷迪皮查 ,  G·雷迪 ,  S·辛哈罗伊 ,  S·海根 ,  A·K·克杜鲁 ,  K·梅迪赛蒂 ,  康相赫

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L27/118

摘要： IC上的单元包括耦合到第一电压的Mx层互连件的第一集合，耦合到不同于第一电压的第二电压的Mx层互连件的第二集合，以及Mx层下方的MIM电容器结构。MIM电容器结构包括CTM、CBM和在部分CTM与部分CBM之间的绝缘体。Mx层互连件的第一集合耦合到CTM。Mx层互连件的第二集合耦合到CBM。MIM电容器结构在Mx层与Mx‑1层之间。MIM电容器结构包括多个开口。MIM电容器结构在单元内是连续的，并且延伸到单元的至少两个边缘。在一种配置中，MIM电容器结构延伸到单元的每个边缘。