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公开(公告)号：CN118184335A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410311504.9
申请日：2024-03-19
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，提供了一种近零温度系数的硼酸锡盐微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的近零温度系数的硼酸锡盐微波介质陶瓷材料，化学式为(1‑x)BaSn(BO3)2‑xTiO2，x的取值为0.05～0.25；主晶相的化学式为BaSn(BO3)2。通过添加TiO2可以在保证陶瓷介电性能优异的情况的下调控其谐振频率温度系数至近零。最终能够在短时间的低温(
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公开(公告)号：CN117945459B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410160035.5
申请日：2024-02-05
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明属于介电材料技术领域，具体涉及一种铌酸铋锌复合溶胶及其制备方法、铌酸铋锌复合薄膜及其制备方法。本发明提供了一种铌酸铋锌复合溶胶，所述铌酸铋锌复合溶胶的化学组成为Bi1.5CaxZn1‑xNbO7，所述x的取值范围为0.1～0.25。本发明利用Ca2+掺杂Bi1.5ZnNbO7介质材料。其中，Ca2+离子与Zn2+离子的离子半径、离子极化率大小相近，即离子匹配性较好，使用Ca2+进行掺杂，可提高纯相Bi1.5ZnNbO7介质材料的介电性能，根据实施例的测试结果可知，由本发明提供的铌酸铋锌复合溶胶制备得到的介电薄膜在1MHz频率下介电常数为110～120，介电损耗≤0.008，具有优异的介电性能。
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公开(公告)号：CN117486608A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311530233.8
申请日：2023-11-16
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/624 , C03C17/00 , C03C17/34
摘要： 本发明涉及一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用，薄膜材料的分子式为Bi1.5MgxZnyNb1.5O7，其中，x：y=（4～1）：（1～4），本发明采用Pechini溶胶‑凝胶法合成一种新型铁电薄膜材料，得到的薄膜致密，孔隙率低，晶界清晰；本发明通过Zn2+的掺杂改性，改变原有离子的运动状态，极大的降低了介电损耗，并且Zn2+的掺杂量使得介电可调，具有良好的温度、化学稳定性，同时介电可调并且具有低的介电损耗、适中的介电常数，与传统的固相法相比，制备工艺简单，过程无污染，反应物在分子水平均匀混合，制备的薄膜纯度和均匀度都较高，能显著提升其介电性能，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118184335B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410311504.9
申请日：2024-03-19
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： H01B3/12 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，提供了一种近零温度系数的硼酸锡盐微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的近零温度系数的硼酸锡盐微波介质陶瓷材料，化学式为(1‑x)BaSn(BO3)2‑xTiO2，x的取值为0.05～0.25；主晶相的化学式为BaSn(BO3)2。通过添加TiO2可以在保证陶瓷介电性能优异的情况的下调控其谐振频率温度系数至近零。最终能够在短时间的低温(
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公开(公告)号：CN117328046B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311228288.3
申请日：2023-09-22
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明提供了一种具有异质结构的BZN/BMN介电调谐复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括基片和基片上层叠的以BZN/BMN为周期单元重复排列的复合层，所述复合层中包括2～3个周期单元；所述多层复合的介电可调薄膜在1.5MV/cm的偏置电场下介电调谐率≥60％，介电损耗≤0.006。本发明提供的复合薄膜综合了BZN薄膜和BMN薄膜的性能特点，在较低偏置电压下介电调谐率高，兼具较小的介电损耗和较强的性能稳定性。此外，本发明使用溶胶‑凝胶法制备上述复合薄膜，在制备BZN薄膜和BMN薄膜时，使用硫酸代替有高毒性和易挥发性的氢氟酸，降低了对设备材料要求和对环境的污染，还节省了制备的工序和成本；使用酒石酸代替柠檬酸，有利于溶胶稳定性的提高，使制备出的薄膜性能更优。
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公开(公告)号：CN117328046A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311228288.3
申请日：2023-09-22
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明提供了一种具有异质结构的BZN/BMN介电调谐复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括基片和基片上层叠的以BZN/BMN为周期单元重复排列的复合层，所述复合层中包括2～3个周期单元；所述多层复合的介电可调薄膜在1.5MV/cm的偏置电场下介电调谐率≥60％，介电损耗≤0.006。本发明提供的复合薄膜综合了BZN薄膜和BMN薄膜的性能特点，在较低偏置电压下介电调谐率高，兼具较小的介电损耗和较强的性能稳定性。此外，本发明使用溶胶‑凝胶法制备上述复合薄膜，在制备BZN薄膜和BMN薄膜时，使用硫酸代替有高毒性和易挥发性的氢氟酸，降低了对设备材料要求和对环境的污染，还节省了制备的工序和成本；使用酒石酸代替柠檬酸，有利于溶胶稳定性的提高，使制备出的薄膜性能更优。
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公开(公告)号：CN117945459A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410160035.5
申请日：2024-02-05
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明属于介电材料技术领域，具体涉及一种铌酸铋锌复合溶胶及其制备方法、铌酸铋锌复合薄膜及其制备方法。本发明提供了一种铌酸铋锌复合溶胶，所述铌酸铋锌复合溶胶的化学组成为Bi1.5CaxZn1‑xNbO7，所述x的取值范围为0.1～0.25。本发明利用Ca2+掺杂Bi1.5ZnNbO7介质材料。其中，Ca2+离子与Zn2+离子的离子半径、离子极化率大小相近，即离子匹配性较好，使用Ca2+进行掺杂，可提高纯相Bi1.5ZnNbO7介质材料的介电性能，根据实施例的测试结果可知，由本发明提供的铌酸铋锌复合溶胶制备得到的介电薄膜在1MHz频率下介电常数为110～120，介电损耗≤0.008，具有优异的介电性能。
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公开(公告)号：CN116199498B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310171449.3
申请日：2023-02-28
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要： 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，具体涉及一种低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法。本发明提供了一种低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷的冷烧结制备方法，包括以下步骤：将硼源和金属源第一混合，进行预烧，得到预烧料；将所述预烧料和氧化硼溶液第二混合，进行冷烧结，得到所述低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷。本发明通过冷烧结能够抑制陶瓷在烧结过程中晶粒的异常生长；可有效防止烧结过程中挥发性元素的流失；更好地控制陶瓷致密化过程中的收缩率，进而提高微波介质陶瓷的介电性能。另外本发明采用冷烧结工艺，具有烧结温度低、能耗低和制备要求相对简单的特点，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN116332628A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310182515.7
申请日：2023-02-24
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本公开关于一种低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷及制备方法，该低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷的主要原料为B2O3、SnO2和SrCO3，化学组成表达式为SrSn(BO3)2。本公开实施例提供的低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷制备流程简单，采用高温固相反应法合成的粉体纯度较高，与现有的微波介质陶瓷材料相比，制备出的低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷性能优异，具有更低的介电常数，更高的品质因数，介电常数为5.42～6.12，温度系数为‑48.31ppm/℃～‑53.37ppm/℃，品质因数为22142GHz～32618GHz。
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公开(公告)号：CN116199498A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310171449.3
申请日：2023-02-28
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要： 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，具体涉及一种低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法。本发明提供了一种低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷的冷烧结制备方法，包括以下步骤：将硼源和金属源第一混合，进行预烧，得到预烧料；将所述预烧料和氧化硼溶液第二混合，进行冷烧结，得到所述低介电常数硼酸盐微波介质陶瓷。本发明通过冷烧结能够抑制陶瓷在烧结过程中晶粒的异常生长；可有效防止烧结过程中挥发性元素的流失；更好地控制陶瓷致密化过程中的收缩率，进而提高微波介质陶瓷的介电性能。另外本发明采用冷烧结工艺，具有烧结温度低、能耗低和制备要求相对简单的特点，适合工业化生产。
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