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公开(公告)号：CN111052419A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201780094174.0
申请日：2017-08-30
IPC: H01L33/52
Abstract: 发光装置(1)具备基台(30)、倒装片安装于基台(30)上的氮化物半导体发光元件(10)、和密封氮化物半导体发光元件(10)的非晶质氟树脂。发光装置(1)具备防止因发光装置(1)的出厂后的热处理所致的非晶质氟树脂的形状变化的形状变化防止层(60)，形状变化防止层(60)由固化有热固化性树脂或紫外线固化树脂的层构成，该经固化的层直接被覆非晶质氟树脂的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106488964B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201580038461.0
申请日：2015-07-14
Applicant: AGC株式会社
IPC: C09J127/12 , C08F216/14 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供紫外线发光装置用粘接剂，所述粘接剂用于以波长为200～400nm的紫外线作为光源的紫外线发光装置，所述粘接剂能够以良好的密合性粘接由具有含氟脂肪族环结构的氟聚合物构成的构件，在暴露于所述紫外线和热时密合性也不易降低。所述粘接剂是用于形成紫外线发光装置的粘接部的粘接剂，由包含具有含氟脂肪族环结构的氟聚合物的下述粘接剂(A)或下述粘接剂(B)中的任一种构成。粘接剂(A)：所述氟聚合物的玻璃化温度为30～100℃、且不含紫外线遮蔽剂的粘接剂。粘接剂(B)：含有所述氟聚合物和紫外线遮蔽剂的粘接剂。
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公开(公告)号：CN111052419B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201780094174.0
申请日：2017-08-30
IPC: H01L33/52
Abstract: 发光装置(1)具备基台(30)、倒装安装于基台(30)上的氮化物半导体发光元件(10)、和密封氮化物半导体发光元件(10)的非晶质氟树脂。发光装置(1)具备防止因发光装置(1)的出厂后的热处理所致的非晶质氟树脂的形状变化的形状变化防止层(60)，形状变化防止层(60)由固化有热固化性树脂或紫外线固化树脂的层构成，该经固化的层直接被覆非晶质氟树脂的表面。
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公开(公告)号：CN111316454B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780096506.9
申请日：2017-11-02
Abstract: 一种紫外线发光装置，其具备：基台、经倒装片安装于基台上的氮化物半导体紫外线发光元件、及密封氮化物半导体紫外线发光元件并将自该氮化物半导体紫外线发光元件射出的光聚焦或扩散的透镜。透镜由聚合物或共聚物的结构单位具有含氟脂肪族环结构且末端官能团为全氟烷基的非晶质氟树脂构成，该非晶质氟树脂的密度大于2.11g/cm3。
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公开(公告)号：CN111316454A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201780096506.9
申请日：2017-11-02
Abstract: 一种紫外线发光装置，其具备：基台、经倒装片安装于基台上的氮化物半导体紫外线发光元件、及密封氮化物半导体紫外线发光元件并将自该氮化物半导体紫外线发光元件射出的光聚焦或扩散的透镜。透镜由聚合物或共聚物的结构单位具有含氟脂肪族环结构且末端官能团为全氟烷基的非晶质氟树脂构成，该非晶质氟树脂的密度大于2.11g/cm3。
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公开(公告)号：CN110612208A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201880030097.7
申请日：2018-05-09
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供一种防污性物品，其为在有机材料的表面具有使用含氟化合物而形成的防污层的防污性物品，其防污性优良，并且该防污性具有耐摩耗性等耐久性。防污性物品具有基材、底涂层和防污层，基材的表面的至少一部分由有机材料构成，底涂层设置在基材的由有机材料构成的表面上，防污层设置在底涂层上，其中，底涂层是使用具有水解性甲硅烷基和反应性有机基团(反应性有机基团(A))的第一硅烷化合物而形成的层，上述反应性有机基团是具有连接基团和反应性基团的基团或者水解性基团以外的反应性基团；有机材料的SP值与反应性有机基团(A)的SP值的差的绝对值为0～3.0(J/cm3)1/2；防污层是使用具有全氟聚醚基和水解性甲硅烷基的第二硅烷化合物而形成的层。
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