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公开(公告)号：CN116349406A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180068985.X
申请日：2021-10-04
Applicant: AGC株式会社
Inventor： 安藤良太 , 大山峻幸 , 须佐俊介 , 山田兼士
IPC: H05B6/12
Abstract: 本发明涉及一种SiSiC部件，是在内部设置有至少1个长孔的SiSiC部件，具有管状区域A和管外区域B，上述管状区域A为上述长孔的外周的区域，上述管外区域B为上述管状区域A的外侧的区域，与上述管状区域A中的Si单质的以体积％计的含量相比，上述管外区域B中的Si单质的以体积％计的含量多。
