公开(公告)号：CN118062853A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410177421.5

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC分类号： C01B33/193 ,  C01B33/18

摘要： 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒及其制造方法。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。

公开(公告)号：CN115190867B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202180017437.4

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC分类号： C01B33/12 ,  C01B33/193

摘要： 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。

公开(公告)号：CN117615994A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047950.2

申请日：2022-06-29

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 片山肇 ,  近藤雅史 ,  福本浩大 ,  高野裕里子 ,  有光慎之介 ,  村上武司 ,  东贤志 ,  山隅大辅

IPC分类号： C01B33/193 ,  A61K8/25 ,  A61Q17/04

摘要： 本发明提供对于可见光线和紫外线均具有高散射性且还具有顺滑触感的安全性高的颗粒。本发明的光散射性二氧化硅颗粒为具有光散射性的光散射性二氧化硅颗粒，在颗粒内部具有呈闭孔结构的多个中空部，前述光散射性二氧化硅颗粒的50％粒径为1～500μm，且平均圆形度为0.8以上，使用前述光散射性二氧化硅颗粒时的、单位测定截面积中的二氧化硅量为20mg/cm2的水滤饼在紫外线波长310nm处的反射率A为30％以上。

公开(公告)号：CN115190867A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202180017437.4

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC分类号： C01B33/12 ,  C01B33/193

摘要： 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。