公开(公告)号：CN110323156B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910211553.4

申请日：2019-03-20

申请人： ASM IP控股有限公司

发明人： D·皮埃罗 ,  C·T·赫布施莱布 ,  W·克纳彭 ,  B·琼布洛德 ,  S·范阿尔德 ,  K·胡本 ,  T·奥斯特拉肯 ,  C·德里德 ,  L·吉迪拉

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明涉及一种衬底处理设备，其包括反应室，所述反应室被设置有用于将多个衬底固持在所述反应室中的衬底架。所述衬底架可具有多个间隔开的衬底固持装置，所述衬底固持装置被配置成固持所述多个衬底。所述设备可具有照明系统，所述照明系统被构造和布置成将具有100到500纳米的范围的辐射辐照到所述衬底的顶表面上。

公开(公告)号：CN109690744B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201780043306.7

申请日：2017-07-14

申请人： ASM IP控股有限公司

发明人： V·珀尔 ,  W·科内鹏 ,  B·琼布罗德 ,  D·皮尔勒 ,  S·范阿尔德 ,  S·霍卡 ,  深泽笃毅 ,  福田秀明

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/455

摘要： 根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。