公开(公告)号：CN111051992A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880057965.0

申请日：2018-08-29

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·H·P·科勒 ,  M-J·斯皮杰克曼 ,  J·J·M·巴塞曼斯

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种确定对变迹测量的传感器贡献的方法。该方法包括：当孔处于具有第一孔直径的第一配置中时，将辐射束引导穿过孔，第一孔直径小于辐射束的直径；在传感器处接收辐射束；获得由传感器在传感器的第一区域中所检测的辐射量的第一测量，其中辐射束没有入射在第一区域上；以及基于第一测量来确定对变迹测量值的传感器贡献。

公开(公告)号：CN110892330B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201880046022.8

申请日：2018-06-12

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·H·P·科勒 ,  J·J·M·巴塞曼斯 ,  B·P·赖甲佩斯

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种确定对浸没式光刻设备的投影系统的变迹的测量结果的光电探测器贡献的方法，所述方法包括：提供辐射束，用所述辐射束照射物体，使用投影系统将所述物体的图像通过液体层进行投影并投影到光电探测器上，在第一液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第一组测量，在不同的液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第二组测量，根据所述第一组测量的结果和所述第二组测量的结果确定一组强度差；将所确定的一组强度差与预期的一组强度差进行比较，和使用比较的结果来确定对变迹的测量结果的光电探测器贡献。

公开(公告)号：CN110892330A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046022.8

申请日：2018-06-12

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·H·P·科勒 ,  J·J·M·巴塞曼斯 ,  B·P·赖甲佩斯

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种确定对浸没式光刻设备的投影系统的变迹的测量结果的光电探测器贡献的方法，所述方法包括：提供辐射束，用所述辐射束照射物体，使用投影系统将所述物体的图像通过液体层进行投影并投影到光电探测器上，在第一液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第一组测量，在不同的液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第二组测量，根据所述第一组测量的结果和所述第二组测量的结果确定一组强度差；将所确定的一组强度差与预期的一组强度差进行比较，和使用比较的结果来确定对变迹的测量结果的光电探测器贡献。