公开(公告)号：CN116847928A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014099.3

申请日：2022-02-02

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 高榕辉 ,  狩野佑介 ,  田渊穣 ,  袁建军

IPC: B01J27/051

Abstract: 本发明的第1方式的产氢催化剂为含有包含二硫化钼的3R晶体结构的硫化钼粉体。本发明的第2方式的产氢催化剂含有掺杂金属的硫化钼粉体，所述掺杂金属的硫化钼粉体中掺杂第3族～第13族金属，并且包含二硫化钼的3R晶体结构。

公开(公告)号：CN117083245A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280023594.0

申请日：2022-03-22

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 小池晃广 ,  高榕辉 ,  狩野佑介 ,  袁建军

IPC: C01G39/02

Abstract: 一种三氧化钼粉体，其含有包含三氧化钼的晶体结构的一次颗粒的集合体，上述晶体结构包含平均微晶尺寸为50nm以下的α晶体。通过动态光散射法求出的上述一次颗粒的中值粒径D50为2000nm以下。

公开(公告)号：CN117678598A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311167783.8

申请日：2023-09-12

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 渡边孝典 ,  藤田幸介 ,  高榕辉 ,  中村厚 ,  河中俊介 ,  矢木直人 ,  袁建军

IPC: A01N25/08 ,  A01N59/16 ,  A01P1/00 ,  C09D133/08 ,  C09D5/14

Abstract: 提供抗菌抗病毒剂、涂布组合物、树脂组合物、涂布层和成形体。本发明的课题是提供能够表现出优异的抗菌抗病毒性且维持被处理体或成形体的美观性的抗菌抗病毒剂、涂布组合物、树脂组合物、涂布层和成形体。本发明的解决手段在于提供一种抗菌抗病毒剂，所述抗菌抗病毒剂具有二氧化硅颗粒和担载于前述二氧化硅颗粒的三氧化钼。通过荧光X射线(XRF)分析而获得的担载于前述二氧化硅颗粒的前述三氧化钼的含量按照氧化物换算计为1.5质量％以上。通过X射线光电子能谱法(XPS)而获得的担载于前述二氧化硅颗粒表面的前述三氧化钼的含量按照氧化物换算计为2.0质量％以上。

公开(公告)号：CN117042613A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280023637.5

申请日：2022-03-22

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 高榕辉 ,  渡边孝典 ,  藤田幸介 ,  河中俊介 ,  中村厚 ,  矢木直人 ,  袁建军

IPC: A01N59/16

Abstract: 本发明涉及具有抗菌活性和/或抗病毒活性的抗菌抗病毒剂，其包含三氧化钼颗粒，上述三氧化钼颗粒的、通过BET法测定的比表面积为10m2/g以上。

公开(公告)号：CN119421743A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380044346.9

申请日：2023-08-02

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 原国豪 ,  大道浩儿 ,  吉村巧己 ,  丹下睦子 ,  鱼田将史 ,  高榕辉 ,  袁建军

IPC: B01J27/051 ,  B01J37/04 ,  C01G39/06 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明提供一种复合物，其包含二硫化钼粒子、及钯粒子，且上述二硫化钼粒子所含有的二硫化钼的平均微晶尺寸为150nm以下，该平均微晶尺寸根据通过X射线衍射测定获得的2θ＝14.4°±0.5°的峰求出。提供一种催化剂油墨，其包含上述复合物、及分散介质。提供一种上述复合物的制造方法，其包括将钯溶液与二硫化钼粒子混合的工序，且上述二硫化钼粒子所含有的二硫化钼的平均微晶尺寸为150nm以下，该平均微晶尺寸根据通过X射线衍射测定获得的2θ＝14.4°±0.5°的峰求出。

公开(公告)号：CN116888076A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280014102.1

申请日：2022-02-02

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 高榕辉 ,  狩野佑介 ,  袁建军

IPC: C01G39/06

Abstract: 本发明的掺杂金属的硫化钼粉体中掺杂第3族～第13族金属，并且包含二硫化钼的3R晶体结构。本发明的掺杂金属的硫化钼粉体的制造方法的第1方式包括：将含有三氧化钼粉体、硫源和第3族～第13族金属盐的粉体干式混合后，在温度200～1000℃下进行加热，所述三氧化钼粉体由包含三氧化钼的α晶体结构或β晶体结构的一次颗粒的集合体形成。前述制造方法的第2方式包括：从配混有三氧化钼粉体、第3族～第13族金属盐和分散介质的混合物中，将前述分散介质去除，由此得到固体物质后，将前述固体物质在硫源的存在下、在温度200～1000℃下进行加热，所述三氧化钼粉体由包含三氧化钼的α晶体结构或β晶体结构的一次颗粒的集合体形成。