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1.

发明授权
制备纳米多孔二氧化硅的装置及其方法失效

公开(公告)号：CN101312908B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200580052103.1

申请日：2005-12-02

申请人： E&B纳米技术株式会社

发明人： 梁庆周 , 金镇洙 , 金锺吉 , 申桐喜

IPC分类号： C01B33/18

CPC分类号： C01B33/124 , B01F3/1221 , B01F3/1271 , B01F5/0057 , B01F5/10 , B01F7/18 , B01F13/103 , B01J4/002 , B01J19/0053 , B01J19/1881 , B01J2219/00006 , B01J2219/00033 , B01J2219/00114 , B01J2219/00177 , B01J2219/00189

摘要： 本发明涉及生产无定形纳米多孔二氧化硅的装置和方法以及通过该方法制备的无定形纳米多孔二氧化硅，所述装置和方法能够通过使用高速反应喷嘴产生涡流以精确的当量比混合源材料，并能够使用进行高速搅拌和低速搅拌的连续循环聚合釜控制物理性质，所述无定形纳米多孔二氧化硅的比表面积为100m2/g至850m2/g、孔径为2nm至100nm、孔容积为0.2mL/g至2.5mL/g。

2.

发明公开
制备纳米多孔二氧化硅的装置及其方法失效

公开(公告)号：CN101312908A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200580052103.1

申请日：2005-12-02

申请人： E&B纳米技术株式会社

发明人： 梁庆周 , 金镇洙 , 金锺吉 , 申桐喜

IPC分类号： C01B33/18

CPC分类号： C01B33/124 , B01F3/1221 , B01F3/1271 , B01F5/0057 , B01F5/10 , B01F7/18 , B01F13/103 , B01J4/002 , B01J19/0053 , B01J19/1881 , B01J2219/00006 , B01J2219/00033 , B01J2219/00114 , B01J2219/00177 , B01J2219/00189

摘要： 本发明生产涉及无定形纳米多孔二氧化硅的装置和方法以及通过该方法制备的无定形纳米多孔二氧化硅，所述装置和方法能够通过使用高速反应喷嘴产生涡流以精确的当量比混合源材料，并能够使用进行高速搅拌和低速搅拌的连续循环聚合釜控制物理性质，所述无定形纳米多孔二氧化硅的比表面积为100m2/g至850m2/g、孔径为2nm至100nm、孔容积为0.2mL/g至2.5mL/g。