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1.

发明公开
由阀金属和阀金属低氧化物组成的纳米结构及其制备方法无效

公开(公告)号：CN104889381A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510198881.7

申请日：2008-07-23

申请人： H.C.施塔克有限公司

发明人： G·吉勒 , C·施尼特 , H·布鲁姆 , H·哈斯 , R·穆勒 , M·波贝斯

IPC分类号： B22F1/00 , B22F9/22

CPC分类号： B22F9/22 , B22F1/0044 , B22F2998/00 , C22B5/04 , C22B34/1268 , C22B34/24 , H01G9/052 , H01G9/0525 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , B22F2201/40

摘要： 本发明涉及由阀金属和阀金属低氧化物组成的纳米结构及其制备方法。具体地说，描述了一种新型带状或板状阀金属和阀金属氧化物结构，其具有5-100nm的横向尺寸并且具有纳米片层结构，其制造方法包括在足以进行还原的温度下，使粉末状的阀金属的氧化物与还原性金属蒸气接触，形成片层纳米结构，其特征在于，在片层结构发生热分解和转化为粗化结构之前，冻结被还原的阀金属氧化物。

2.

发明公开
由阀金属和阀金属低氧化物组成的纳米结构及其制备方法无效复审申请

公开(公告)号：CN101778683A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200880103432.8

申请日：2008-07-23

申请人： H.C.施塔克有限公司

发明人： G·吉勒 , C·施尼特 , H·布鲁姆 , H·哈斯 , R·穆勒 , M·波贝斯

IPC分类号： B22F9/22 , B22F1/00

CPC分类号： B22F9/22 , B22F1/0044 , B22F2998/00 , C22B5/04 , C22B34/1268 , C22B34/24 , H01G9/052 , H01G9/0525 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , B22F2201/40

摘要： 本发明描述了新型带状或板状阀金属和阀金属氧化物结构，其具有5-100nm的横向尺寸。

3.

发明公开
电容器有权转让

公开(公告)号：CN101258570A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680019696.6

申请日：2006-06-01

申请人： H.C.施塔克有限公司

发明人： C·施尼特 , H·布鲁姆 , C·拉沃尔 , C·麦克瑞肯

IPC分类号： H01G9/052 , B22F1/00 , C01G33/00 , C22C32/00

摘要： 揭示了一种由铌低氧化物粉末制造的电容器，该电容器表现出更高的击穿电压，更高的工作温度，更长的使用寿命。该粉末掺杂有氮，氮至少部分的以均匀分布的、用x射线可以检测的Nb2N晶畴的形式存在。

4.

发明公开
具有结构化的烧结-活性表面的半成品以及它们的制造方法失效转让

公开(公告)号：CN101501797A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780030140.1

申请日：2007-08-10

申请人： H.C.施塔克有限公司

发明人： M·斯坦佐 , A·沙夫 , H·哈斯 , H·布鲁姆 , T·朗格特普 , C·施尼特

IPC分类号： H01G9/048 , H01G9/052

摘要： 本发明包括具有结构化表面的半成品，所述半成品包括经过氧化并且随后再还原的表面，所述表面包含至少一种高熔点金属，本发明还包括这些半成品的制造方法以及它们用于生产高电容组件的应用。

5.

发明授权
电容器有权转让

公开(公告)号：CN101258570B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680019696.6

申请日：2006-06-01

申请人： H.C.施塔克有限公司

发明人： C·施尼特 , H·布鲁姆 , C·拉沃尔 , C·麦克瑞肯

IPC分类号： H01G9/052 , B22F1/00 , C01G33/00 , C22C32/00

摘要： 揭示了一种由铌低氧化物粉末制造的电容器，该电容器表现出更高的击穿电压，更高的工作温度，更长的使用寿命。该粉末掺杂有氮，氮至少部分的以均匀分布的、用x射线可以检测的Nb2N晶畴的形式存在。

6.

发明授权
具有结构化的烧结-活性表面的半成品以及它们的制造方法失效转让

公开(公告)号：CN101501797B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200780030140.1

申请日：2007-08-10

申请人： H.C.施塔克有限公司

发明人： M·斯坦佐 , A·沙夫 , H·哈斯 , H·布鲁姆 , T·朗格特普 , C·施尼特

IPC分类号： H01G9/048 , H01G9/052

摘要： 本发明包括具有结构化表面的半成品，所述半成品包括经过氧化并且随后再还原的表面，所述表面包含至少一种高熔点金属，本发明还包括这些半成品的制造方法以及它们用于生产高电容组件的应用。

7.

发明公开
无机化合物无效复审申请

公开(公告)号：CN101263086A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680019519.8

申请日：2006-05-31

申请人： H.C.施塔克有限公司

发明人： C·施尼特 , H·布鲁姆 , C·拉沃尔 , C·麦克瑞肯

IPC分类号： C01G33/00

摘要： 揭示了一种铌低氧化物粉末，该铌低氧化物粉末用于制造具有更高的击穿电压、更高的工作温度和更长的使用寿命的电容器。所述粉末掺杂氮，其中氮至少部分地以均匀分布的、用x射线可以检测的Nb2N晶畴的形式存在。