公开(公告)号：CN102165369A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138311.1

申请日：2009-09-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 桥本雅广 ,  小凑淳志

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/80 ,  G03F1/14 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明的目的在于，使用于制作ArF准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体，能够应用于半导体设计规则中从DRAM半节距(hp)32nm起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体，其用于制作采用了波长200nm以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的特征在于，具有：透光性基板；遮光膜，其形成在透光性基板上，并含有钼及硅；以及蚀刻掩模膜，其形成在该遮光膜上并与其接触，并含有铬，所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为9％原子百分比以上40％原子百分比以下，所述蚀刻掩模膜的铬含量为45％原子百分比以下。