公开(公告)号：CN116261772A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180067951.9

申请日：2021-10-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山岸航大 ,  冈俊介 ,  铃木健二

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种能抑制磷化铟基板因边缘部的凹凸、加工损伤导致的破裂的磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延晶片。一种磷化铟基板，其中，关于基板的边缘部的表面粗糙度，在边缘部表面整体通过激光显微镜测定出的最大高度Sz为2.1μm以下。

公开(公告)号：CN116057212A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180054263.9

申请日：2021-10-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山岸航大 ,  冈俊介 ,  铃木健二

IPC: C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延片，所述磷化铟基板能抑制因边缘部的残留物引起的磷化铟基板表面的污染的产生。一种磷化铟基板，其中，关于基板的边缘部的表面粗糙度，在边缘部的整个表面，利用激光显微镜测定出的均方根高度Sq为0.15μm以下。