公开(公告)号：CN103987660A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201380004099.6

申请日：2013-11-29

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 林炳圭 ,  郑相允 ,  朴哲凞 ,  郑汉纳 ,  金帝映 ,  李龙珠 ,  金贤撤

IPC: C01B33/113 ,  H01M10/05

CPC classification number: H01M4/48 ,  C01B33/113 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/049 ,  H01M4/485 ,  H01M10/052 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅的制备方法、由该法制备的氧化硅以及包括该氧化硅的二次电池，在所述制备方法中，通过从含有较大量氧的氧化硅中减少氧的量来适当地控制硅和氧的量。根据所述氧化硅的制备方法，在还原性气氛下对含较大量氧的氧化硅(第一氧化硅)进行热处理来减少氧化硅(第一氧化硅)中氧的量，并制备包含合适量的硅和氧的氧化硅(第二氧化硅)(Si：SiO2＝1:0.7～0.98)，从而提高所述二次电池的容量特性和初始效率并确保其稳定性和循环特性(寿命特征)。

公开(公告)号：CN103987660B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380004099.6

申请日：2013-11-29

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 林炳圭 ,  郑相允 ,  朴哲凞 ,  郑汉纳 ,  金帝映 ,  李龙珠 ,  金贤撤

IPC: C01B33/113 ,  H01M10/05

CPC classification number: H01M4/48 ,  C01B33/113 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/049 ,  H01M4/485 ,  H01M10/052 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅的制备方法、由该法制备的氧化硅以及包括该氧化硅的二次电池，在所述制备方法中，通过从含有较大量氧的氧化硅中减少氧的量来适当地控制硅和氧的量。根据所述氧化硅的制备方法，在还原性气氛下对含较大量氧的氧化硅(第一氧化硅)进行热处理来减少氧化硅(第一氧化硅)中氧的量，并制备包含合适量的硅和氧的氧化硅(第二氧化硅)(Si：SiO2＝1:0.7～0.98)，从而提高所述二次电池的容量特性和初始效率并确保其稳定性和和循环特性(寿命特征)。

公开(公告)号：CN103958408A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201380004056.8

申请日：2013-10-15

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  郑汉纳 ,  林炳圭 ,  金帝映 ,  郑相允 ,  金兑训

IPC: C01B33/113 ,  H01M4/48 ,  H01M10/05

CPC classification number: H01M4/48 ,  C01B33/113 ,  C01B33/181 ,  C01P2002/74 ,  H01M4/483 ,  H01M4/485 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供二次电池的阳极活性材料所用的氧化硅。更具体地，本发明提供二次电池的阳极活性材料中所包含的氧化硅，其中，在该氧化硅的X射线衍射(XRD)图谱中，40°到60°的2θ范围内的峰的最大高度(h2)与15°到40°的2θ范围内的峰的最大高度(h1)的比值满足0.40≤h2∕h1≤1.5。