公开(公告)号：CN103681953B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201310373378.1

申请日：2013-08-23

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李满 ,  权正晓 ,  李圣恩 ,  权泰瑛

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L21/02054 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，其用于在执行第一清洁处理之后使用酸性化学物质去除所述微突起表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。

公开(公告)号：CN119605339A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202280098477.0

申请日：2022-07-29

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 赵炳权 ,  崔元硕 ,  权正晓 ,  朴成敏

IPC: H10H29/34 ,  H10H29/49 ,  H10H29/32

Abstract: 实施例涉及一种显示像素用半导体发光器件和包括该半导体发光器件的显示装置。实施例的显示像素用半导体发光器件可以包括：发光结构物，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；钝化层，配置在所述发光结构物上；以及第二电极层，配置在所述发光结构物的下方。所述发光结构物可以包括其顶面的一部分呈弧形的弧形半导体层。

公开(公告)号：CN117957660A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202180102368.7

申请日：2021-09-14

Applicant: LG电子株式会社 ,  乐金显示有限公司

Inventor： 辛埈伍 ,  权正晓

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明涉及能够适用于显示装置相关技术领域，例如，利用微型LED(Light Emitting Diode)的显示装置及其制造方法。这样的本发明可以包括：基板，包括像素区域和位于所述像素区域周边的焊盘区域；分隔壁层，位于所述基板上，在所述像素区域内定义复数个单位像素区域；应力分离线，位于所述分隔壁层上的所述单位像素区域之间；第一电极，位于所述单位像素区域；半导体发光器件，在所述单位像素区域内设置成使第一型电极与所述第一电极电连接；涂布层，形成在所述半导体发光器件和分隔壁层上；以及第二电极，在所述涂布层上与所述半导体发光器件的第二型电极电连接。

公开(公告)号：CN103681953A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310373378.1

申请日：2013-08-23

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李满 ,  权正晓 ,  李圣恩 ,  权泰瑛

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L21/02054 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，其用于在执行第一清洁处理之后使用酸性化学物质去除所述微突起表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。