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公开(公告)号：CN100470648C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510135806.2
申请日：2005-12-23
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李光烈
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312
Abstract: 本发明涉及光记录介质。根据本发明的一个实施例的光记录介质包括基片、位于基片的上侧上并反射入射激光束的反射层，和位于反射层上的信息记录层。信息记录层包括包含Au的第一记录层和包含由Si、Ge、C、Sn和Zn组成的组中选择的至少一个元素的第二记录层。因此，通过组合记录层材料，本发明的光记录介质可提供用于BD系统的高记录密度和传输速度。
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公开(公告)号：CN1909087B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200510135819.X
申请日：2005-12-23
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李光烈
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00455 , G11B7/24038
Abstract: 本发明涉及光记录介质。根据本发明的一个实施例的光记录介质包括基片和位于基片上的信息记录层。信息记录层包括包含从Ag、In、Ge、Sb和Te构成的组中选择的至少一种元素的第一记录层，包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选择的至少一种元素的第二信息记录层，和包含从Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo构成的组中选择的至少一种元素的第三信息记录层。因此，通过由三个记录层组成并去除反射层和介质层，本发明的光记录介质可以减少厚度和制造成本。
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公开(公告)号：CN100517478C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510133921.6
申请日：2005-12-20
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李光烈
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , Y10S428/913 , Y10S430/146
Abstract: 本发明涉及一种光记录介质。根据本发明的一个实施方案的光记录介质包括基底，位于基底上侧并反射入射激光束的反射层，和位于该反射层之上的信息记录层。该信息记录层包括含有AXB1-X形式的化合物的第一记录层，0.8≤X≤0.95，其中A为选自由Ni、Ag、W和Cr构成的组中的一种元素，而B包括Sb和Te，以及含有选自由Si、Sn、Sb和Ge构成的组的至少一种元素的第二记录层。激光束在照射到第二记录层上之前先照射在第一记录层上。因此，通过结合记录层材料本发明的光记录介质可以提供适合于BD系统的高记录密度和高传送速度。
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公开(公告)号：CN105684066A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058542.2
申请日：2014-08-28
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李光烈
IPC: G09F9/00
CPC classification number: G09F9/3026 , G06F3/1446 , G09G5/38 , G09G2300/026 , G09G2320/0257 , G09G2320/046 , G09G2340/0464 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本文中公开了一种多视觉及其控制方法。该多视觉包括框架和多个显示器，所述多个显示器被配置为通过所述框架按照矩阵形式彼此邻接。所述多个显示器包括控制单元，该控制单元被配置为为了防止所述多个显示器上的残留图像而执行用于使显示在所述多个显示器上的图像移动的轨道函数，并且响应于从所述多个显示器中的至少一个主显示器接收到的控制信号来控制图像的位置。根据本发明，能够防止由于轨道函数的执行而导致的图像的失真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100461274C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200480026655.0
申请日：2004-09-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B7/0045
Abstract: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长，通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔，并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中，为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化，用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中，用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大，最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。
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公开(公告)号：CN1909087A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200510135819.X
申请日：2005-12-23
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李光烈
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00455 , G11B7/24038
Abstract: 本发明涉及光记录介质。根据本发明的一个实施例的光记录介质包括基片和位于基片上的信息记录层。信息记录层包括包含从Ag、In、Ge、Sb和Te构成的组中选择的至少一种元素的第一记录层，包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选择的至少一种元素的第二信息记录层，和包含从Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo构成的组中选择的至少一种元素的第三信息记录层。因此，通过由三个记录层组成并去除反射层和介质层，本发明的光记录介质可以减少厚度和制造成本。
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公开(公告)号：CN1892853A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510135806.2
申请日：2005-12-23
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李光烈
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312
Abstract: 本发明涉及光记录介质。根据本发明的一个实施例的光记录介质包括基片、位于基片的上侧上并反射入射激光束的反射层，和位于反射层上的信息记录层。信息记录层包括包含Au的第一记录层和包含由Si、Ge、C、Sn和Zn组成的组中选择的至少一个元素的第二记录层。因此，通过组合记录层材料，本发明的光记录介质可提供用于BD系统的高记录密度和传输速度。
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公开(公告)号：CN1892852A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510133921.6
申请日：2005-12-20
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李光烈
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , Y10S428/913 , Y10S430/146
Abstract: 本发明涉及一种光记录介质。根据本发明的一个实施方案的光记录介质包括基底，位于基底上侧并反射入射激光束的反射层，和位于该反射层之上的信息记录层。该信息记录层包括含有AXB1－X(0.1≤X≤0.9)形式的化合物的第一记录层，其中A为选自由Ni、Ag、W和Cr构成的组中的一种元素，而B由选自该组的除了对应于A的一种元素之外的至少一种元素构成，以及含有选自由Si、Sn、Sb和Ge构成的组的至少一种元素的第二记录层。激光束在照射到第二记录层上之前先照射在第一记录层上。因此，通过结合记录层材料本发明的光记录介质可以提供适合于BD系统的高记录密度和高传送速度。
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公开(公告)号：CN1853219A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480026655.0
申请日：2004-09-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B7/0045
Abstract: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长，通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔，并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中，为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化，用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中，用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大，最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。
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