公开(公告)号：CN104810414A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510023406.6

申请日：2015-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  池光善 ,  李承植 ,  安世源

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。

公开(公告)号：CN104810414B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510023406.6

申请日：2015-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  池光善 ,  李承植 ,  安世源

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。