公开(公告)号：CN108110072A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711171046.X

申请日：2017-11-22

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  赵成衍 ,  朴相昱

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极设置在所述第一导电半导体层上。使所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域暴露。

公开(公告)号：CN108110072B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201711171046.X

申请日：2017-11-22

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  赵成衍 ,  朴相昱

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极设置在所述第一导电半导体层上。使所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域暴露。