公开(公告)号：CN1812271A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610002478.3

申请日：2006-01-26

申请人： LG电子株式会社

发明人： 韩东昊

IPC分类号： H04B1/04

CPC分类号： H03F1/30 ,  H03F2200/447 ,  H03G1/04

摘要： 一种根据功率放大器的每个温度输出特性的移动通信终端的温度补偿方法，包括第一步骤，检测功率放大器的每个温度输出特性，第二步骤，根据第一步骤的结果计算移动通信终端的每个温度最大输出偏差，第三步骤，根据移动通信终端的每个温度最大输出偏差来发现自动增益控制信号的偏差，第四步骤，根据自动增益控制信号的偏差来计算温度补偿值，和第五步骤，根据提供了温度补偿值的自动增益控制信号来控制功率放大器放大以发送无线信号。根据温度变化来补偿传输信号的误差，便于实施传输信号的功率电平控制。而且，在改变移动通信终端的配置电路或材料(PCB等)中，便于实施温度补偿值的重新计算，借此减少了用于计算温度补偿值的时间、精力和成本。

公开(公告)号：CN101931029A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010207365.3

申请日：2010-06-18

申请人： LG电子株式会社

发明人： 朴铉定 ,  李大龙 ,  崔荣嫮 ,  韩东昊

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及太阳能电池及制造太阳能电池的方法。一种用于制造太阳能电池的方法可以包括以下步骤：形成发射区，所述发射区与第一导电类型的半导体衬底形成p-n结；在所述半导体衬底上形成钝化层；在所述钝化层上形成包含第一导电类型的杂质的掺杂层；以及通过将激光束照射在所述半导体衬底上以使所述第一导电类型的杂质扩散到所述半导体衬底中，在所述半导体衬底处局部地形成背面场区。