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公开(公告)号：CN102105826A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128645.0
申请日：2009-07-29
申请人： NTT电子股份有限公司
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B2006/12104
摘要： 本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号：CN103941335A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410194208.1
申请日：2009-07-29
申请人： NTT电子股份有限公司
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B2006/12104
摘要： 本发明涉及平面光波导电路。本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号：CN103941335B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410194208.1
申请日：2009-07-29
申请人： NTT电子股份有限公司
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B2006/12104
摘要： 本发明涉及平面光波导电路。本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号：CN102105826B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200980128645.0
申请日：2009-07-29
申请人： NTT电子股份有限公司
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B2006/12104
摘要： 本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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