专利检索 ap:("SK新技术株式会社" OR "爱思开高新信息电子材料株式会社") AND inv:"安俊焕" 第 1 页

1.

发明公开
隔膜、其制造方法及包括其的二次电池审中-公开

公开(公告)号：CN118867578A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410491987.5

申请日：2024-04-23

申请人： SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社

发明人： 池尚胤 , 安俊焕 , 李昌熙 , 金俊亨

IPC分类号： H01M50/449 , H01M50/446 , H01M50/491 , H01M50/403 , H01M50/489 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M10/42

摘要： 本公开涉及隔膜、其制造方法及包括其的二次电池。具体来讲，涉及包含中空型粘合颗粒的隔膜、其制造方法及包括其的二次电池。根据本公开的一个方面的隔膜包括：多孔性基材；以及位于所述多孔性基材的一面或两面且包含无机颗粒及中空型(Hollow)粘合颗粒的至少一个涂层。本公开的隔膜的表面粘合力提高，因此可以与电极以高粘合力粘合。