层叠线圈部件的制造方法以及层叠线圈部件

    公开(公告)号:CN112447391A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010862882.8

    申请日:2020-08-25

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H01F41/04 H01F27/28

    摘要: 本发明提供一种层叠线圈部件的制造方法,其包含:在至少主面具有导电性的基板的主面上,形成沿着主面延伸的第一线圈导体的工序;形成在第一线圈导体延伸的方向上互相分开,且从第一线圈导体分别沿着正交于主面的第一方向延伸的第二线圈导体以及第三线圈导体的工序;以及形成与第二线圈导体的与第一线圈导体为相反侧的端部电连接并且沿着主面延伸的第四线圈导体的工序。形成第一线圈导体的工序包含:在主面上,形成具有对应于第一线圈导体的形状,并且设置有使主面的一部分露出的第一贯通部的第一绝缘体层的工序;以及通过镀覆,在第一贯通部内形成第一线圈导体的工序。

    层叠线圈部件的制造方法以及层叠线圈部件

    公开(公告)号:CN112447391B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202010862882.8

    申请日:2020-08-25

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H01F41/04 H01F27/28

    摘要: 本发明提供一种层叠线圈部件的制造方法,其包含:在至少主面具有导电性的基板的主面上,形成沿着主面延伸的第一线圈导体的工序;形成在第一线圈导体延伸的方向上互相分开,且从第一线圈导体分别沿着正交于主面的第一方向延伸的第二线圈导体以及第三线圈导体的工序;以及形成与第二线圈导体的与第一线圈导体为相反侧的端部电连接并且沿着主面延伸的第四线圈导体的工序。形成第一线圈导体的工序包含:在主面上,形成具有对应于第一线圈导体的形状,并且设置有使主面的一部分露出的第一贯通部的第一绝缘体层的工序;以及通过镀覆,在第一贯通部内形成第一线圈导体的工序。

    层叠线圈部件的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115050567A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210176561.1

    申请日:2022-02-24

    申请人: TDK株式会社

    摘要: 本发明的层叠线圈部件(1)的制造方法包含:使用光敏性导电膏体,通过光刻法,形成导体的工序;使用光敏性绝缘膏体,通过光刻法,形成包覆导体的绝缘膜的工序;通过正性光刻胶,形成保持由绝缘膜包覆的导体的树脂层的工序;在形成了多个导体及绝缘膜后,对树脂层照射紫外线并且显影,去除树脂层的工序;在去除了树脂层后,通过磁性材料,填充由绝缘膜包覆的导体的工序。

    电子部件的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112466653A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202010914791.4

    申请日:2020-09-03

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H01F41/04 H01F27/28

    摘要: 电子部件的制造方法包括:通过层叠多个绝缘体层来形成层叠体基片的步骤,其中,层叠体基片具有在与层叠方向交叉的方向上隔着分割部排列的多个层叠体;和通过去除分割部来将多个层叠体单片化的步骤。形成层叠体基片的步骤包括:在基材上形成包含绝缘性材料的绝缘体抗蚀剂层的步骤,其中,该绝缘性材料为绝缘体层的构成材料;和至少除与分割部对应的绝缘体抗蚀剂部分之外,通过曝光来使绝缘体抗蚀剂层固化,形成绝缘体层的步骤。在形成层叠体基片的步骤中,通过在基材上反复进行形成绝缘体抗蚀剂层的步骤和形成绝缘体层的步骤,来形成层叠体基片。在单片化的步骤中,通过显影来去除包含绝缘体抗蚀剂部分而构成的分割部。

    层叠线圈部件的制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115116737A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210213070.X

    申请日:2022-03-04

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H01F41/04 H01F41/12 H01F17/00

    摘要: 本发明涉及一种层叠线圈部件的制造方法。层叠线圈部件(1)的制造方法包括:使用感光性绝缘体膏通过光刻法形成多个绝缘体层,使用感光性导电膏通过光刻法形成多个导体及通孔导体,形成第一导体的工序;以与第一导体的上表面成为平坦的方式在第一导体的周围形成第一绝缘体层的工序;在第一导体及第一绝缘体层上形成设置有通路孔的第二绝缘体层的工序;以及在第二绝缘体层上形成经由通路孔与第一导体连接的第二导体的工序。