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公开(公告)号：CN100463051C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510070265.X
申请日：2005-05-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3136 , G11B5/314 , G11B5/4826 , G11B5/6064
Abstract: 一种薄膜磁头包括至少一个感应写头元件和至少一个读磁头元件，并且通过加热能够控制在磁记录媒体和至少一个读磁头元件之间的间距。间距的增加SG(nm/℃)大于通过下面的表达式界定的间距增加阈值SGTHLD(nm/℃)：SGTHLD＝A*dPTP+B；A＝1.4642E-02*exp(-6.6769E-05*LRDMF)；B＝4.9602E-01*exp(-2.0423E-03*LRDMF)。这里，dPTP表示通过加热，至少一个感应写头元件和/或至少一个读磁头元件的顶端的凸伸的变化量(nm)，LRDMF表示在最大记录频率的一半频率处的线记录密度(kFCI)。
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公开(公告)号：CN100380449C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410043222.8
申请日：2004-05-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3906
Abstract: 下部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。上部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。下部磁极层的磁极部分层、记录间隙层及上部磁极层的磁极部分层的与基板的上表面平行的断面形状相同。两磁极部分层及记录间隙层的集合体，包含着具有限定磁道宽度的宽度的第1部分及宽度大于第1部分的宽度的第2部分。当设第1部分的宽度为W并设从媒体相对面ABS到第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时，L/W在2以上、5以下。当设与基板的上表面平行的集合体的断面的面积为S时，S/(W×L)在5以上、40以下。
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公开(公告)号：CN1892823A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610002915.1
申请日：2006-01-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/4826 , G11B5/6005 , G11B5/6064 , G11B2005/0005
Abstract: 提供一种在不但保证发热操作可靠性、而且使读输出稳定的条件下，具有改善的伸出效率的薄膜磁头。所述磁头包括：用于写和/或读数据信号的磁头元件；用于至少在所述磁头元件的操作期间产生热的发热元件；以及与所述发热元件邻近的第一散热元件，所述第一散热元件用于接收所述发热元件产生的部分热，所述第一散热元件与所述磁头元件保持某一距离。
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公开(公告)号：CN100373454C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510130488.0
申请日：2005-12-13
Abstract: 提供了一种薄膜磁头，该薄膜磁头使由发热装置产生的热引起的头端面的伸出变得大到足以有效地将磁间距dMS设为较小值。该头包括：具有元件形成面和ABS的衬底，在元件形成面上形成至少一个凹部；在元件形成面上方或在元件形成面上形成的至少一个磁头元件；嵌入至少一个凹部中的至少一个热膨胀层；以及位于至少一个热膨胀层正上方的至少一个发热装置。
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公开(公告)号：CN1551115A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043222.8
申请日：2004-05-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3906
Abstract: 下部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。上部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。下部磁极层的磁极部分层、记录间隙层及上部磁极层的磁极部分层的与基板的上表面平行的断面形状相同。两磁极部分层及记录间隙层的集合体，包含着具有限定磁道宽度的宽度的第1部分及宽度大于第1部分的宽度的第2部分。当设第1部分的宽度为W并设从媒体相对面ABS到第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时，L/W在2以上、5以下。当设与基板的上表面平行的集合体的断面的面积为S时，S/(W×L)在5以上、40以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100390861C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610002915.1
申请日：2006-01-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/4826 , G11B5/6005 , G11B5/6064 , G11B2005/0005
Abstract: 提供一种在不但保证发热操作可靠性、而且使读输出稳定的条件下，具有改善的伸出效率的薄膜磁头。所述磁头包括：用于写和/或读数据信号的磁头元件；用于至少在所述磁头元件的操作期间产生热的发热元件；以及与所述发热元件邻近的第一散热元件，所述第一散热元件用于接收所述发热元件产生的部分热，所述第一散热元件与所述磁头元件保持某一距离。
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公开(公告)号：CN100349211C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510107563.1
申请日：2005-09-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3136 , G11B5/3106 , G11B5/314 , G11B5/6064 , G11B5/607
Abstract: 一种具有更高突出效率的薄膜磁头，其包括：带有空气支承表面(ABS)的衬底；包括下和上屏蔽层的读头元件，和包括磁极层的写头元件；加热元件，其相对于所述读头元件和所述写头元件设在与ABS相对的位置；和散热元件，其包括散热层，该散热层设在与所述下和上屏蔽层以及所述磁极层中的至少一层的所述ABS一侧的端部相对的端部附近，所述散热元件具有一种形状，使得沿所述ABS一侧的端部的轨道宽度方向的宽度大于沿着与所述ABS一侧的所述端部相对的端部的轨道宽度方向的宽度。
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公开(公告)号：CN1815560A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510130488.0
申请日：2005-12-13
Abstract: 提供了一种薄膜磁头，该薄膜磁头使由发热装置产生的热引起的头端面的伸出变得大到足以有效地将磁间距dMS设为较小值。该头包括：具有元件形成面和ABS的衬底，在元件形成面上形成至少一个凹部；在元件形成面上方或在元件形成面上形成的至少一个磁头元件；嵌入至少一个凹部中的至少一个热膨胀层；以及位于至少一个热膨胀层正上方的至少一个发热装置。
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公开(公告)号：CN1770267A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107563.1
申请日：2005-09-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3136 , G11B5/3106 , G11B5/314 , G11B5/6064 , G11B5/607
Abstract: 一种具有更高突出效率的薄膜磁头，其包括：带有空气支承表面(ABS)的衬底；包括下和上屏蔽层的读头元件，和包括磁极层的写头元件；加热元件，其相对于所述读头元件和所述写头元件设在与ABS相对的位置；和散热元件，其包括散热层，该散热层设在与所述下和上屏蔽层以及所述磁极层中的至少一层的所述ABS一侧的端部相对的端部附近，所述散热元件具有一种形状，使得沿所述ABS一侧的端部的轨道宽度方向的图案宽度大于沿着与所述ABS一侧的所述端部相对的端部的轨道宽度方向的图案宽度。
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公开(公告)号：CN1707619A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510070265.X
申请日：2005-05-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3136 , G11B5/314 , G11B5/4826 , G11B5/6064
Abstract: 一种薄膜磁头包括至少一个感应写头元件和至少一个读磁头元件，并且通过加热能够控制在磁记录媒体和至少一个读磁头元件之间的间距。间距的增加SG(nm/℃)大于通过下面的表达式界定的间距增加阈值SGTHLD(nm/℃)：SGLIMT＝A*dPTP+B；A＝1.4642E－02*exp(－6.6769E－05*LRDMF)；B＝4.9602E－01*exp(－2.0423E－03*LRDMF)这里，dPTP表示通过加热，至少一个感应写头元件和/或至少一个读磁头元件的顶端的凸伸的变化量(nm)，LRDMF表示在最大记录频率的一半频率处的线记录密度(kFCI)。
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