公开(公告)号：CN1222812C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01804322.4

申请日：2001-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 后藤正宪 ,  岩冢信治 ,  高山清市

IPC: G02F1/09

CPC classification number: G02F1/093 ,  G02F2203/48

Abstract: 一种法拉第旋转器和使用该法拉第旋转器的光衰减器，其中平行于光轴的一固定磁场和垂直于光轴的—可变磁场同时施加在法拉第元件上，光轴沿柘榴石单晶体的方向 ，其特点在于，具有法拉第效应的、厚度大致相同的三个柘榴石单晶体用于形成法拉第元件，并且法拉第元件以如下方式布置：该可变磁场施加在这些法拉第元件的其中之一上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，该直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(-1-12)；该可变磁场施加在余下的两个元件上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，该直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(-101)。从而改善了光衰减的温度依赖性。另外，法拉第旋转器定位装置改善了偏振依赖性损失。

公开(公告)号：CN1397026A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN01804322.4

申请日：2001-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 后藤正宪 ,  岩冢信治 ,  高山清市

IPC: G02F1/09

CPC classification number: G02F1/093 ,  G02F2203/48

Abstract: 一种法拉第旋转器和使用该法拉第旋转器的光衰减器，其中平行于光轴的一固定磁场和垂直于光轴的一可变磁场同时施加在法拉第元件上，光轴沿柘榴石单晶体的方向 ;，其特点在于，具有法拉第效应的、厚度大致相同的三个柘榴石单晶体用于形成法拉第元件，并且法拉第元件以如下方式布置：一可变磁场施加在这些法拉第元件的其中之一上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，该直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(－1－12)或与其等效的平面；而一可变磁场施加在余下的两个元件上、沿垂直于在一直线的左右两侧各延伸5度的范围内的一平面的方向，该直线连接位于球极平面投影图的中心处的平面(111)与该图中最外圆周上的平面(－101)或与其等效的平面。从而改善了光衰减的温度依赖性。另外，法拉第旋转器定位装置改善了偏振依赖性损失。