公开(公告)号：CN115840173A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211150603.0

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 礒田刚大 ,  太田宪和 ,  高野大地 ,  稻毛健治

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具备由多个MR元件构成的多个电阻部、和分别具有用于对多个MR元件检测对象磁场的特定分量的结构的多个凸面。多个MR元件分割成与多个电阻部对应的第一～第四区域而配置。多个凸面包含遍及第一～第四区域中的至少两个区域延伸的结构物。

公开(公告)号：CN115932679A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211213504.2

申请日：2022-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野大地 ,  太田宪和 ,  平林启 ,  渡部司也

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器。MR元件包括第一磁性层、第二磁性层、和配置在第一磁性层与第二磁性层之间的非磁性层。第一磁性层的形状磁各向异性被设定在第一基准方向，且第一磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第一磁化方向的磁化。第二磁性层的形状磁各向异性被设定在第二基准方向，且第二磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第二磁化方向的磁化。