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公开(公告)号：CN108279470B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201810226366.9
申请日：2018-03-19
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于直写光刻封装机型中的高精度调焦装置，包括基座、棱镜装置及传动机构，所述棱镜装置包括相互滑动配合的上棱镜与下棱镜，所述上棱镜与下棱镜之间具有间隙，所述基座上设有与所述下棱镜相匹配的第一安装槽，所述传动装置包括丝杠及电机，所述上棱镜通过连接支架与所述丝杠传动连接，所述丝杠的两端分别通过第一支座、第二支座与基座固定连接，丝杠的端部通过联轴器与电机的转轴固定连接，所述电机通过安装支架与基座固定连接，所述基座的端部设有位移传感器。本发明通过激光位移传感器实时测量反馈焦面距离，配合小楔角的楔形棱镜的运动，达到精密调焦的目的，解决直写光刻封装机型焦深较小这一技术缺陷。
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公开(公告)号：CN109856926B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910229390.2
申请日：2019-03-25
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及直写光刻曝光设备定位运动平台正交性调试装置及方法，属于直写光刻曝光技术领域。该调试装置包括支撑底座、精密定位运动平台、调试机构、支撑架和CCD图像采集系统。精密定位运动平台包括Y轴、X轴和Z轴；Z轴的顶部安装有真空吸盘；真空吸盘上方吸附带有Mark点的高精度标定板。调试机构包括安装在支撑底座上可升降的移动滑台、调试连接底板、移动滑轨、与移动滑轨滑动配合的移动滑轨运动座以及固定在移动滑轨运动座上的千分表。本发明先采用CCD图像采集系统对X轴和Y轴的正交性进行测量，再采用调试机构调试X轴和Y轴的正交性。本发明能够提高直写光刻曝光设备精密定位运动平台正交性调试的效率和准确度，降低调试成本。
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公开(公告)号：CN117742085A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311866693.8
申请日：2023-12-28
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了检测装置、检测平行半角和光偏角的方法及检测系统，其中，检测装置包括壳体、检测光路和测量模块，壳体限定出容纳空间，壳体上具有输入孔，在检测时平行光路的光通过输入孔垂直摄入容纳空间；检测光路位于容纳空间内，用于将输入孔垂直摄入的光垂直投射至检测区域；测量模块位于检测区域，用于根据垂直投射至检测区域的光斑获得用于计算平行光路平行半角和光偏角的检测数据。该检测装置可以直接用于检测接近式曝光机的平行光路的平行半角和光偏角，提高接近式曝光机光路装配精度。
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公开(公告)号：CN117740143A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311516347.7
申请日：2023-11-13
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光能量测量装置和补偿激光能量的方法，所述激光能量测量装置，包括：探头结构，所述探头结构包括：激光衰减片，所述激光衰减片用于接收激光器发射的激光光束，并对所述激光光束的能量进行衰减以形成衰减光信号；光电转换器，所述光电转换器用于接收所述衰减光信号，并将所述衰减光信号转换为电信号；采样板卡，所述采样板卡与所述探头结构连接，所述采样板卡用于对所述电信号进行数据处理以获得所述激光光束的功率值。采用该装置可以扩大对激光光束的测量量程，且测量方式不受限制，应用性更加广泛。
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公开(公告)号：CN117724307A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311703987.9
申请日：2023-12-12
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
发明人： 董帅
摘要： 本发明公开了一种LDI曝光图形位置校准补偿方法、装置及LDI曝光设备，该方法包括：在基板上曝光固定行列间距的MARK点网格；对于MARK点网格所覆盖范围内任意一个待校准补偿的位置，确定该位置所处的目标网格；获取目标网格的四个顶点的误差；根据目标网格的四个顶点的误差计算出该位置的实际曝光图形和理想图形之间的位置误差；根据位置误差对该位置进行校准补偿。本发明采用网格化的补偿方式，实现高精度的位置补偿，并且补偿过程中只依赖于测量系统的精度，与光头数量无关，降低了曝光图形位置的补偿难度，提高了曝光图形位置精度，同时，也降低了对定位平台的绝对精度要求，具有很好的可扩展性。
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公开(公告)号：CN117697187A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311706107.3
申请日：2023-12-12
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
IPC分类号： B23K26/70 , B23K26/382
摘要： 本发明公开了一种激光钻孔机的钻孔检测装置、方法及激光钻孔机，该装置包括：相机，临近安装于激光钻孔机的光轴，用于采集激光钻孔机在基板上的加工结果的图像；处理模块，用于基于图像进行运算分析，以确定激光钻孔机在基板上的加工结果是否存在异常。本发明通过将相机安装在临近激光钻孔机的光轴位置，随着激光钻孔运动的进行，相机可以实时采集激光钻孔机在基板上的加工结果的图像，同时，处理模块将采集到的图像进行运算分析，及时检测加工过程中可能出现的异常情况，实现实时检测和校准功能，提升用户对加工质量的信心，缩短设备的导入和认证时间，降低了成本和整机复杂度。
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公开(公告)号：CN117111411A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310892803.1
申请日：2023-07-19
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种光刻显影制造系统，包括：光刻单元、显影单元和运输单元；运输单元与光刻单元和显影单元连接，运输单元包括机械手，机械手构造成与基板相对设置且可夹持基板，且将基板依次在光刻单元和运输单元以及显影单元和运输单元之间转移，以让运输单元输出进行光刻处理和显影处理后的基板。这样，通过在运输单元上设有机械手，由于机械手适于与基板相对设置，以让运输单元在使用过程中适于通过机械手以将基板运输到光刻单元或者显影单元上分别进行光刻处理以及显影处理后适于通过机械手转运到运输单元上并进行输送，以实现光刻显影制造系统的自动化生产，从而降低基板的生产成本，提升基板的生产效率。
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公开(公告)号：CN113934115B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111235304.2
申请日：2021-10-22
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
发明人： 赵美云
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机，直写式光刻机包括空间光调制器件，方法包括：获取原始光刻图形；获得用于本次曝光的形变后光刻图形，并提取其中的第二特征图形数据单元；查询预存的数据仓库；确定数据仓库中存在同类型的目标形变后光刻图形；将第二特征图形数据单元与数据序列中的第三特征图形数据单元进行比对；确定存在与第二特征图形数据单元可相互替换的目标第三特征图形数据单元，将对应的空间光调制器件所需数据转换为第二特征图形数据单元对应的空间光调制器件目标数据；控制直写式光刻机的空间光调制器件。本发明的控制直写式光刻机的方法处理时间短，可通过软件实现对数据的处理，提升了直写式光刻机的产能。
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公开(公告)号：CN116819899A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310737131.7
申请日：2023-06-19
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
发明人： 吴春晓
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种基于DMD的倾斜式高速扫描的3D灰度曝光方法，包括获取待曝光的灰度图，并进行数据预处理；根据实时获取的触发信号基于预处理后的数据读取特定帧数据，并快速加载到DMD，对DMD的微镜进行若干次周期性翻转操作，得到数字灰度掩模版；同时基于倾斜扫描方式的激光直写系统扫描时，利用DMD多行扫描，并根据不同的倾斜因子进行扫描时多次叠加；最后基于连续激光器依据预设曝光剂量比例进行光度刻蚀，得到最终的8位灰度图形。本发明通过基于DMD的直写系统为倾斜扫描的方式，并利用扫描叠加结合二元脉宽灰度调制方式，实现微纳加工领域加工更精细的微纳3D器件方式。
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公开(公告)号：CN113031404B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110310281.0
申请日：2021-03-23
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种量产型激光直写光刻机及其控制方法，应用于集成电路制造，量产型激光直写光刻机包括移动平台、对准相机、光学引擎和移载装置，移动平台包括多个区域，每个区域内安装有单个或多个光学引擎；光学引擎带有同轴或旁轴的对准相机，光学引擎根据晶圆上的Mark位置对每个镜头进行图形数据变换处理，并根据变换后得到的图形位置数据在各晶圆相对应的位置进行曝光；利用寻边器对晶圆位置进行预对准处理；移载装置将预对准过的晶圆移入移动平台相对应的区域，光学引擎根据Mark位置进行对准曝光。本发明能够同时对多个区域的多片晶圆进行曝光，解决了集成电路曝光效率低的问题，极大提高了曝光产能，利于实现集成电路制造和晶圆级封装的量产。
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