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公开(公告)号：CN109994458B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201811309026.9
申请日：2018-11-05
申请人： 新世纪光电股份有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/64
摘要： 本发明提供一种发光装置，包括一第一发光单元、一第二发光单元、一散热基板、多个第一凸块以及多个第二凸块。散热基板设置于第一发光单元与第二发光单元之间。这些第一凸块连接于第一发光单元与散热基板之间。这些第二凸块连接于第二发光单元与散热基板之间。
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公开(公告)号：CN111933766A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010832795.8
申请日：2017-10-09
申请人： 新世纪光电股份有限公司
摘要： 一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
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公开(公告)号：CN108054255B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810016160.3
申请日：2014-01-13
申请人： 新世纪光电股份有限公司
发明人： 李玉柱
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 本发明提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。
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公开(公告)号：CN106486572B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201610790955.0
申请日：2016-08-31
申请人： 新世纪光电股份有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体元件层、凹陷部、第一电极、以及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、量子井层以及第二型掺杂半导体层。凹陷部在发光二极管芯片上定义出第一区域以及第二区域。第一区域以及第二区域分别包含部分第一型掺杂半导体层、部分量子井层以及部分第二型掺杂半导体层。第一电极配置于第一区域内且至少位在部分第一型掺杂半导体层与至少部分第二型掺杂半导体层上。第二电极位于第二区域内并与第二型掺杂半导体层电性连接。另一种发光二极体晶片亦被提供。本发明提供的发光二极管芯片具有较高的发光效率。
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公开(公告)号：CN106549094B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610827797.1
申请日：2016-09-18
申请人： 新世纪光电股份有限公司
摘要： 本发明提供一种发光元件封装结构。发光元件封装结构包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上，且波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘。保护件包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层的第二边缘，且暴露出发光元件的下表面。保护件的第三边缘切齐于波长转换胶层的第一边缘。本发明提供的发光元件封装结构不仅可具有较佳的侧向出光效果，还具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。
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公开(公告)号：CN105895776B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610089271.8
申请日：2016-02-17
申请人： 新世纪光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/46
摘要： 本发明提供一种具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法。本发明的具有布拉格反射镜的发光二极管包括：磊晶层，具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层，其中发光层介于第一半导体层与第二半导体层之间；透明导电层，位于第二半导体层上；至少一布拉格反射层，位于透明导电层上，并具有多个贯穿等布拉格反射层的第一贯穿孔；第一电极，电性连接于第一半导体层；以及第二电极，电性连接于透明导电层。本发明使用布拉格反射镜取代传统的银反射镜，可排除银反射镜所导致的不稳定因素，提升产品优良率。
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