公开(公告)号：CN108622842A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710167444.8

申请日：2017-03-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 张健 ,  丁敬秀

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R9/08

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00658 ,  B81C2201/0105 ,  B81C2201/0133 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H04R2231/003 ,  H04R2307/025 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0174 ,  H04R9/08

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中半导体装置包括衬底以及位于衬底上的振动膜和覆盖层，其中部分覆盖层位于振动膜的上方，衬底、振动膜和覆盖层形成空腔；其中衬底包括能够露出振动膜的至少部分下表面的开口、以及设在所述开口侧壁上的至少一个支撑部。由于在衬底的开口侧壁上设有支撑部，因此当振动膜发生形变时，支撑部能够为振动膜提供支撑，以免振动膜发生断裂。同时由于支撑部与振动膜的接触面积有限，因此并不会对半导体装置的信噪比造成影响。