公开(公告)号：CN109626985A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910112419.9

申请日：2019-01-29

申请人： 山东春光磁电科技有限公司

发明人： 徐士亮 ,  宋兴连 ,  韩卫东 ,  孔志强 ,  解丽丽 ,  吴士超 ,  辛本奎

IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01F1/34

CPC分类号： C04B35/2658 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  H01F1/344

摘要： 本发明提出了一种超高频高阻抗MnZn铁氧体材料，其原料包括主要主料和辅料。一种超高频高阻抗MnZn铁氧体材料的制备方法，包括以下步骤：称取Fe2O352‑55mol％，Mn3O4 16‑18mol％，CuO 3‑5mol％，ZnO 22‑29mol％的主料，将主料放入到在篮式砂磨机中进行湿式混合，加水量为原料重量的50％，混合时间40‑60min。该超高频高阻抗MnZn铁氧体材料，具有高磁导率(μi＝3000)，同时具有高于常规高导MnZn铁氧体产品的高频阻抗，25MHz阻抗比常用的5K类MnZn铁氧体高导产品阻抗提高50％，100MHz阻抗比常用的5K类MnZn铁氧体高导产品阻抗高15％，电阻率比常用5K类MnZn铁氧体高导产品提高100倍左右，达到100Ω·m，可以满足电子产品的超高频高阻抗要求。

公开(公告)号：CN109553408A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811650661.3

申请日：2018-12-31

申请人： 天长市中德电子有限公司

发明人： 瞿德林 ,  王久如 ,  李丛俊

IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634

CPC分类号： C04B35/2658 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/34

摘要： 本发明涉及磁性材料技术领域，本发明公开了一种稀土掺杂锰锌铁氧体材料的制备方法，包括如下步骤：将主成分氧化锰、氧化锌、氧化铁加入球磨机球磨，得到混合料A；将混合料A进行预烧，然后冷却至室温，得到预烧料；将预烧料、氧化钒、五氧化二铌、氧化铋、氧化钼、五氧化二磷、氧化铜、复合稀土添加剂加入球磨机二次球磨，烘干，得到混合料B；所述复合稀土添加剂是由三氧化二铈、氧化钇、氧化镧组成；向混合料B中加入聚乙烯醇溶液混合造粒，然后过40-80目筛，得到颗粒料；将颗粒料加入成型机中压制，得到坯件；烧结坯件，冷却后即可。本发明制备的稀土掺杂锰锌铁氧体材料具有较高的初始磁导率和饱和磁通密度。

公开(公告)号：CN109231977A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811300433.3

申请日：2018-11-02

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 刘志甫 ,  彭笑笑 ,  李永祥

IPC分类号： C04B35/22 ,  C04B35/46

CPC分类号： C04B35/22 ,  C04B35/46 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明涉及一种高温稳定介质陶瓷材料及其制备方法，所述高温稳定介质陶瓷材料具有榍石结构，其组成化学式为CaTi1-xM10.5xM20.5xSiO5，其中M1和M2为金属离子，0＜x≤10%，优选3≤x≤5%。

公开(公告)号：CN109206132A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710546400.6

申请日：2017-07-06

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 刘志甫 ,  邵辉 ,  常健 ,  李永祥

IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明涉及一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，所述陶瓷材料的化学组成为Cux/3Nb2x/3Ti1-xO2-yMnO，其中0.2≤x≤0.4，0＜y≤0.05。本发明的高介微波陶瓷材料能小型化、稳定性高、烧结温度低，可用于多层陶瓷滤波器、耦合器、谐振器等微波器件制作。

公开(公告)号：CN109053191A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810942071.1

申请日：2018-08-17

申请人： 中南大学

发明人： 康希越 ,  吝楠 ,  贺跃辉 ,  张鹛媚

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B35/626

CPC分类号： C04B35/58021 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明提供了一种无粘结相碳氮化钛基金属陶瓷及其制备方法，所述无粘结相碳氮化钛基金属陶瓷，按质量百分比计包含如下组分：Ti：40％～85％，C：5％～10％，N：5％～10％，过渡族金属元素：5％～45％，所述过渡族金属元素选自W、Mo、Ta、Nb中的至少两种。本发明所提供的碳氮化钛基金属陶瓷，过渡族金属元素存在于碳氮化钛固溶体陶瓷基体中，不含有纯金属粘结相。与常规金属陶瓷与硬质合金相比，本发明所提供的碳氮化钛基金属陶瓷具有低摩擦系数、优秀抗氧化性能和耐腐蚀性能等优势。本发明制备过程中混料时间短，无需压制成型，不添加烧结助剂，使用放电等离子快速烧结，烧结过程短。整个流程工艺简单，操作方便，生产效率高。

公开(公告)号：CN109053157A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810772473.1

申请日：2018-07-13

申请人： 华南师范大学

发明人： 郑树文 ,  郑涛 ,  尚秋月 ,  张涛

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种Ga2O3基共掺杂材料靶及其制备方法。该材料靶的制备过程包括：将SiO2、GeO2或SnO2中的一种纳米粉与Ta2O5纳米粉、Ga2O3纳米粉按照质量比x:y:(100‑x‑y)均匀球磨混合得到纳米混合粉；添加PVA进行球磨和造粒得到粉体；将粉体装入模具中压制成型得到初坯；对初坯进行脱脂处理；对脱脂后的初坯进行冷等静压成型处理，得到素坯。最后对素坯进行高温烧结（氧气环境下）或者进行热等静压（氩气环境下）处理，得到高致密度（相对密度>87%）的Ga2O3掺杂材料靶。本发明制备的Ga2O3基掺杂材料靶能满足磁腔溅射法、电子束蒸发法或激光脉冲沉积法对Ga2O3器件的掺杂靶需求。

公开(公告)号：CN109020535A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810991691.4

申请日：2018-08-29

申请人： 四川大学

发明人： 朱达川 ,  彭凤超

IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01C7/115

CPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3418 ,  H01C7/115

摘要： 一种高介电常数的压敏‑电容双功能二氧化钛陶瓷及其制备方法，属于功能陶瓷技术领域，其特征是以微米二氧化钛为主体，加入微米添加物二氧化硅、五氧化二铌、氧化钬，经球磨、过滤、干燥、造粒、过筛、压制成小圆片，并在400℃保温排胶1‑1.5h再升温到1350‑1450℃烧结后随炉冷却至室温，再经过抛光、喷涂银浆，600‑700℃保温一段时间制备而成。五氧化二铌使二氧化钛陶瓷具有半导体特性，二氧化硅促使陶瓷晶粒均匀，氧化钬可改善电学性质。此类二氧化钛陶瓷具有良好的综合电学性能，兼具压敏‑电容双功能，压敏电位梯度为3.3‑8.6V/mm，相对介电常数为7.4×104‑1.88×105（1KHz），非线性系数在4.2‑5.5之间，同时具有制备工艺简单、稳定性好等优点。

公开(公告)号：CN108863342A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201710341423.3

申请日：2017-05-11

申请人： 深圳大学

发明人： 沈金城 ,  尚福亮 ,  王晨 ,  肖超 ,  董磊 ,  朱佐祥 ,  彭伟 ,  高玲 ,  杨海涛

IPC分类号： C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14

摘要： 一种高密度Nb‑ZnO材料的制备。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的Nb‑ZnO材料制备技术。把(0.005‑1at％)的Nb2O5与ZnO粉末经过充分混合、成型、烧结可制备出致密度超过99.8％，抗弯强度超过100MPa，电阻率小于2×10‑2Ω·cm的Nb‑ZnO材料。这种Nb‑ZnO材料，可制成溅射镀膜靶材，在显示、薄膜太阳能电池、low‑E玻璃等领域有极其广泛的应用。

公开(公告)号：CN105826074B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610028979.2

申请日：2016-01-15

申请人： 太阳诱电株式会社

发明人： 森田浩一郎 ,  川村知荣 ,  龙穣 ,  谷口克哉 ,  广井一路 ,  岩崎誉志纪

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30

摘要： 本发明提供一种即使电介质层厚度在0.8μm以下，寿命特性也优良且漏电流受到抑制的层叠陶瓷电容器。该层叠陶瓷电容器包括电介质层与极性不同的内部电极层交替层叠而成的层叠体，上述电介质层包括以BaTiO3为主成分的陶瓷颗粒，上述陶瓷颗粒包含：选自Nb、Mo、Ta和W的至少一种的施主元素(D)；和选自Mg和Mn的至少一种的受主元素(A)，在上述陶瓷颗粒的中心部分，施主元素(D)的浓度与受主元素(A)的浓度之比D/A大于1，在上述陶瓷颗粒的外缘部分，D/A小于1，其中，在A＝0的情况的下，D/A＝∞，而不是D＝A＝0。

公开(公告)号：CN108751980A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810753011.5

申请日：2018-07-10

申请人： 芜湖市元奎新材料科技有限公司

发明人： 章波 ,  郭元

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446

摘要： 本发明提出了一种氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法，按照重量份数计算，包括以下原料：氧化锌85～95份、Bi2O31～3份、Co2O31～3份、Nb2O52～4份、硫化铝0.5～1.5份、纳米氟化钙1～3份及氧化镨0.5～1.5份；所述纳米氟化钙与所述Nb2O5需要经过预处理。制备方法：1)按照配比称取上述原料，将上述原料进行粉碎得到粉体，然后混合再加入润滑剂，进行球磨；2)将步骤1)得到的球磨粉体烘干，然后进行预烧，得到粉末；3)将步骤3)的粉末进行压制成胚体；4)将步骤3)的胚体升温至860℃～1200℃，保温，冷却至室温后得到氧化锌压敏电阻陶瓷。该陶瓷具有烧结温度低、压敏电压小、非线性系数高、漏电流密度小等优点。