波导结构、波导耦合结构、及制备方法

    公开(公告)号:CN104813204A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201380003790.2

    申请日:2013-11-13

    发明人: 胡菁 周小平

    IPC分类号: G02B6/124

    摘要: 本发明提供三种波导结构,包括突出式、掩埋式、和重沉积型的。三种波导结构均应用于SOI基阵列波导光栅中的阵列波导的直波导部分,突出式的所述波导结构包括呈轴对称设置的两个第一端部,所述第一端部在沿靠近对称轴方向上依次分为第一区域、第二区域和第三区域;所述波导结构包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和第一硅波导层。还提供了波导结构相应的制备方法,及波导耦合结构。本发明提供的所述波导结构,及其耦合结构,具有小尺寸、低偏振相关性、低温度敏感性的优点,且串扰值高于25dB,满足光无源网络系统的要求,为所述阵列波导光栅的商用化提供了可行性。