半导体马赫-陈德尔调制器

    公开(公告)号:CN1200492A

    公开(公告)日:1998-12-02

    申请号:CN98102021.6

    申请日:1998-05-28

    Inventor: 清水淳一

    CPC classification number: G02F1/2257 G02F2201/126

    Abstract: 一种半导体马赫—陈德尔调制器,包括一对相位调制器臂波导和一用于推挽式调制的驱动器。一与第一调制器臂的p型覆盖层连接的第一电极保持在负压值Vπ,而连接的第二电极与第一调制器臂的n型覆盖层和第二调制器臂的p型覆盖层由一驱动电压驱动。与第二调制器臂的n型覆盖层相连的第三电极保持为地电位。驱动电压在Vπ和Vπ/2之间变化以对两个调制器臂进行推挽式调制。

    光调制器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102472900B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201080029876.9

    申请日:2010-07-09

    Abstract: 在各臂上具备子MZI的嵌套MZI调制器中,降低对来自子MZI的光信号的相对相位进行调整的相对相位调整部本身和相对相位调整部的驱动电路这两方的消耗电力。方式(1a)的复合集成型嵌套MZI调制器的结构如下:代替在母MZI中配置相对相位调整部而在各个子MZI内设置对上下两臂均施加方向与极化方向相同(或相反方向)的电场的偏置电极Bias90°和接地电极(参照图4B),设置于各个子MZI的偏置电极Bias90°和接地电极整体构成相对相位调整部。这种相对相位调整部能够对子MZI的上下臂波导的光信号分别赋予同方向的相位变化,因此从光信号的角度来看与在子MZI输出之后接受相位变化(参照图1A)是等价的。

    受控电容全耗尽交错式PIN调制器

    公开(公告)号:CN105974612A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610134132.2

    申请日:2016-03-09

    Inventor: D·M·基尔

    Abstract: 本申请的各实施例涉及受控电容全耗尽交错式PIN调制器。描述了一种利用射频(RF)信号调制光输入的方法、一种交错式调制器和一种包括该交错式调制器的电光调制器。该方法包括:将光输入分成第一光输入和第二光输入;利用第一光输入和第二光输入分别穿过第一区域和第二区域;以及在第一区域中利用RF信号调制第一光输入。该方法还包括:控制RF信号在第一区域中的传播速度;控制第一区域中的RF线路阻抗;以及控制第一光输入在第一区域中的光损耗。

    共平面集成的光波导光电调制器

    公开(公告)号:CN1432846A

    公开(公告)日:2003-07-30

    申请号:CN02128605.1

    申请日:2002-06-28

    CPC classification number: G02F1/225 G02F1/035 G02F2201/126

    Abstract: 共平面集成的光波导光电调制器,包括:光电材料衬底(1),集成在表面(71)上的至少两个光波导(41,42),设在衬底表面上给波导加调制电场的电极系统(80,90,100;80,90,900;12-15;120,130,140,150,160,170),引起器件调制区(50)中两个波导的折射率调制。在相应衬底区中(61,62)形成波导用于在器件调制区中的至少波导部分(411,421),相应的衬底区(61,62)有沿垂直于波导区的轴符号相反的光电系数,使波导部分方向和取向相同的调制电场引起波导部分中符号相反的折射率调制。制成无啁啾声的共平面波导调制器和单驱动双共平面带调制器。

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