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公开(公告)号：CN101061437A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200580039721.2
申请日：2005-11-21
申请人： 保土谷化学工业株式会社
CPC分类号： G03G5/102 , G03G5/0564 , G03G5/0614 , G03G5/0679 , G03G5/0681 , G03G5/0685 , G03G5/0696
摘要： 本发明的目的是提供具有改进的如感光度和残留电势的电子照相特性，并同时具有出色耐久性的电子照相感光体。本发明提供具有包含至少一种特定的对三联苯化合物和至少一种由通式(I)表示的聚碳酸酯树脂的层的电子照相感光体，所述对三联苯化合物对所述聚碳酸酯树脂的质量比为2∶8至7∶3，通式(I)如图。
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公开(公告)号：CN100568106C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610004914.0
申请日：2006-01-12
申请人： 施乐公司
CPC分类号： G03G5/0685 , C07F7/1804 , G03G5/0605 , G03G5/0612 , G03G5/0616 , G03G5/0672 , G03G5/0674 , G03G5/0679 , G03G5/0681 , G03G5/0683
摘要： 芳族含硅化合物具有下式：Ar-[X-L-SiRn(OR’)3-n]m其中Ar表示芳族基团，X表示二价或三价基团；L表示二价连接基团；R表示氢原子、烷基或芳基；R’表示烷基；n是0-2的整数；和m是1-5的整数。芳族含硅化合物可用于电子照相受光体，特别地用于这种电子照相受光体的最外保护层。
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公开(公告)号：CN101065711A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040360.3
申请日：2005-11-21
申请人： 保土谷化学工业株式会社
CPC分类号： G03G5/0517 , G03G5/051 , G03G5/0514 , G03G5/0521 , G03G5/0614 , G03G5/0633 , G03G5/0679 , G03G5/0685
摘要： 本发明的目的是提供不损害如充电电势和残留电势的电子照相特性的，以及重复稳定性也是出色的电子照相感光体。本发明提供包含导电支撑体的电子照相感光体，所述导电支撑体具有在其上的包含特定对三联苯化合物和至少一种添加剂的层。
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公开(公告)号：CN102608881A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110346273.8
申请日：2005-11-21
申请人： 保土谷化学工业株式会社
CPC分类号： G03G5/102 , G03G5/0564 , G03G5/0614 , G03G5/0679 , G03G5/0681 , G03G5/0685 , G03G5/0696
摘要： 本发明的目的是提供具有改进的如感光度和残留电势的电子照相特性，并同时具有出色耐久性的电子照相感光体。本发明提供具有包含至少两种特定的对三联苯化合物和至少一种由通式(I)表示的聚碳酸酯树脂的层的电子照相感光体，所述对三联苯化合物对所述聚碳酸酯树脂的质量比为2∶8至7∶3，通式(I)如下。
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公开(公告)号：CN101065711B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200580040360.3
申请日：2005-11-21
申请人： 保土谷化学工业株式会社
CPC分类号： G03G5/0517 , G03G5/051 , G03G5/0514 , G03G5/0521 , G03G5/0614 , G03G5/0633 , G03G5/0679 , G03G5/0685
摘要： 本发明的目的是提供不损害如充电电势和残留电势的电子照相特性的，以及重复稳定性也是出色的电子照相感光体。本发明提供包含导电支撑体的电子照相感光体，所述导电支撑体具有在其上的包含特定对三联苯化合物和至少一种添加剂的层。
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公开(公告)号：CN1804728A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610004914.0
申请日：2006-01-12
申请人： 施乐公司
CPC分类号： G03G5/0685 , C07F7/1804 , G03G5/0605 , G03G5/0612 , G03G5/0616 , G03G5/0672 , G03G5/0674 , G03G5/0679 , G03G5/0681 , G03G5/0683
摘要： 芳族含硅化合物具有下式：Ar－[X－L－SiRn(OR’)3－n]m其中Ar表示芳族基团，X表示二价或三价基团；L表示二价连接基团；R表示氢原子、烷基或芳基；R’表示烷基；n是0－2的整数；和m是1－5的整数。芳族含硅化合物可用于电子照相受光体，特别地用于这种电子照相受光体的最外保护层。
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