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公开(公告)号：CN102737714B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210080500.1
申请日：2012-03-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C13/04
CPC分类号： G11C13/06 , G02B5/008 , G02F2203/10
摘要： 本发明提供一种光学元件和包括该光学元件的信息存储器件。该光学元件可以包括用于将圆偏振光转变为等离子体激元并发射该等离子体激元的光波导结构。光波导结构可以发射圆偏振等离子体激元场。光学元件可以用在信息存储器件中。例如，信息存储器件可以包括记录介质和用于在记录介质上记录信息的记录元件，记录元件可以包括光学元件。通过利用由光学元件产生的圆偏振等离子体激元场，信息可以被记录在记录介质上。
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公开(公告)号：CN101529514B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200680054687.0
申请日：2006-05-24
申请人： 天主教大学基金会
发明人： 特奥多鲁斯·亨利克斯·玛丽亚·拉辛 , 安德烈·伊万诺夫伊奇·基里利乌 , 阿列克埃·沃尔德马罗维特斯杰·基梅尔 , 克劳迪乌·丹尼尔·斯坦丘 , 弗雷德里克·汉斯廷 , 伊藤彰义 , 塚本新
IPC分类号： G11B11/10 , G11B11/105
CPC分类号： G11B11/10539 , G11B5/02 , G11B11/10506 , G11B11/10584 , G11B11/10591 , G11B2005/0002 , G11C13/06 , G11C19/0808
摘要： 本发明涉及用于转换介质中的磁性的磁光转换装置，该装置包括可磁化介质。根据本发明，放射系统适用于向所述可磁化介质的磁自旋系统施加角动量，以对所述介质的磁性进行选择性地取向。另外，本发明还涉及转换可磁化介质的方法，包括：提供可磁化介质；提供具有选择性选择的角动量的放射光束；以及将该放射光束靶向该介质以将该角动量传递给该可磁化介质的磁自旋系统。因此，通过使用适当的角动量，能够控制磁材料中的自旋状态。有效磁场被产生以对磁畴的磁化进行取向并能够同步地用于局部加热该材料。
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公开(公告)号：CN1886802A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035111.0
申请日：2004-11-18
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/09 , G11B5/3909 , G11B5/4907 , G11B5/74 , G11B13/045 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021 , G11C13/06
摘要： 本发明涉及一种存储介质(10)，包括一信息层(11)，其中该信息层包括透明区域和存储信息的不透明区域，和一可磁化层(12)，其至少包含一个磁化区域(14)，当光点(17)通过信息层对应的透明区域(15)被传输时暂时产生该磁化区域。本发明还涉及一种读取装置，用于读取在此存储介质(10)上的信息。所述读取装置包括一光学元件(23)，用于产生来自输入光束(21)的一组光点，当光点经过信息层(11)的对应透明区域时被用于在可磁化层(12)中暂时产生磁化区域，和一磁性传感器(24)，包括用于检测至少一个磁化区域的一组传感元件。
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公开(公告)号：CN101529514A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200680054687.0
申请日：2006-05-24
申请人： 天主教大学基金会 , 即内梅亨大学医疗中心
发明人： 特奥多鲁斯·亨利克斯·玛丽亚·拉辛 , 安德烈·伊万诺夫伊奇·基里利乌 , 阿列克埃·沃尔德马罗维特斯杰·基梅尔 , 克劳迪乌·丹尼尔·斯坦丘 , 弗雷德里克·汉斯廷 , 伊藤彰义 , 塚本新
IPC分类号： G11B11/10 , G11B11/105
CPC分类号： G11B11/10539 , G11B5/02 , G11B11/10506 , G11B11/10584 , G11B11/10591 , G11B2005/0002 , G11C13/06 , G11C19/0808
摘要： 本发明涉及用于转换介质中的磁性的磁光转换装置，该装置包括可磁化介质。根据本发明，放射系统适用于向所述可磁化介质的磁自旋系统施加角动量，以对所述介质的磁性进行选择性地取向。另外，本发明还涉及转换可磁化介质的方法，包括：提供可磁化介质；提供具有选择性选择的角动量的放射光束；以及将该放射光束靶向该介质以将该角动量传递给该可磁化介质的磁自旋系统。因此，通过使用适当的角动量，能够控制磁材料中的自旋状态。有效磁场被产生以对磁畴的磁化进行取向并能够同步地用于局部加热该材料。
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公开(公告)号：CN101273406A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035748.9
申请日：2006-09-28
申请人： 财团法人首尔大学校产学协力财团
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： H03K19/168 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C13/06 , H01F1/401 , H01F1/408 , H03B15/006
摘要： 本发明提供一种产生强自旋波的方法，一种同时产生自旋波和电磁波的方法，一种使用自旋波的逻辑运算装置，多种使用自旋波的自旋波装置，以及一种控制自旋波的相位的方法。在产生自旋波的方法中，通过将各种形状的能量供应到磁性材料来产生强自旋波，其中磁涡旋和磁反涡旋自旋结构单独或一起存在。当将能量施加到图案化磁性材料，使磁涡旋或磁反涡旋可产生时，在涡心中产生强转矩，使强自旋波可从涡心产生。如此产生的自旋波具有大振幅、短波长和高频率。在使用自旋波的逻辑运算装置和使用自旋波的自旋波装置中，通过产生自旋波的方法而控制产生的自旋波的频率、波长、振幅和相位等波因数，且使用如反射、折射、透射、隧穿、叠加、干涉和衍射的波特征。可使用自旋波来重构能执行超高速信息处理的逻辑运算自旋波装置、和使用光学波的各种形状的光学装置。
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公开(公告)号：CN103959924A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201180073846.2
申请日：2011-10-05
发明人： 易卜拉欣·库尔萨特·塞顿 , 阿里·卡萨尔 , 穆斯塔帕·皮纳尔·蒙格可
CPC分类号： F28F27/00 , G11C13/06 , H01L31/052 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种纳米等离子体激元装置，其包括：具有加热侧和冷却侧的纳米等离子体激元加热层，该加热层包括多个局部能量接收位点；以及邻接于冷却侧的冷却结构，该冷却结构包括从加热层除热的纳米级结构。
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公开(公告)号：CN102737714A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210080500.1
申请日：2012-03-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C13/04
CPC分类号： G11C13/06 , G02B5/008 , G02F2203/10
摘要： 本发明提供一种光学元件和包括该光学元件的信息存储器件。该光学元件可以包括用于将圆偏振光转变为等离子体激元并发射该等离子体激元的光波导结构。光波导结构可以发射圆偏振等离子体激元场。光学元件可以用在信息存储器件中。例如，信息存储器件可以包括记录介质和用于在记录介质上记录信息的记录元件，记录元件可以包括光学元件。通过利用由光学元件产生的圆偏振等离子体激元场，信息可以被记录在记录介质上。
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公开(公告)号：CN101273406B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200680035748.9
申请日：2006-09-28
申请人： 财团法人首尔大学校产学协力财团
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： H03K19/168 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C13/06 , H01F1/401 , H01F1/408 , H03B15/006
摘要： 本发明提供一种产生强自旋波的方法。在产生自旋波的方法中，通过将各种形状的能量供应到磁性材料来产生强自旋波，其中磁涡旋和磁反涡旋自旋结构单独或一起存在。当将能量施加到图案化磁性材料，使磁涡旋或磁反涡旋可产生时，在涡心中产生强转矩，使强自旋波可从涡心产生。如此产生的自旋波具有大振幅、短波长和高频率。在使用自旋波的逻辑运算装置和使用自旋波的自旋波装置中，通过产生自旋波的方法而控制产生的自旋波的频率、波长、振幅和相位等波因数，且使用如反射、折射、透射、隧穿、叠加、干涉和衍射的波特征。可使用自旋波来重构能执行超高速信息处理的逻辑运算自旋波装置、和使用光学波的各种形状的光学装置。
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