公开(公告)号：CN107502950A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710786961.3

申请日：2017-09-04

申请人： 青海鑫诺光电科技有限公司

发明人： 吴桂松 ,  王辉 ,  孙学军 ,  王鹏 ,  张经行 ,  张德林 ,  刘建军 ,  杨永军 ,  党文全 ,  许生发

IPC分类号： C30B13/04 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B13/04 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种单晶硅的加工设备，涉及单晶硅制造技术，用于解决一方面，由于熔区内存在热对流，会产生集肤效应，另一方面，杂质对硅熔体表面张力的影响很显著，微量的杂质就能引起较大的变化，由于单晶棒拉晶过程中，杂质分布不均匀，会导致熔区发生流垮，限制了区熔单晶的直径的问题。它包括底座、设置于底座上的反应炉、立柱，所述反应炉包括主炉室和副炉室，所述立柱设置于底座左侧，所述立柱上设有用于控制副炉室升降的副室提升油缸，所述反应炉内设置有晶体旋转及升降机构。减少熔区内因热对流，而会产生集肤效应，提高单晶硅导电率，且提高区熔单晶的直径。本发明还提供了单晶硅的加工设备使用方法。

公开(公告)号：CN118407116A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410580577.8

申请日：2024-05-11

申请人： 上海大学 ,  上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院

发明人： 徐杭安 ,  徐闰 ,  牛强国 ,  钟成前 ,  夏安 ,  王林军 ,  董瀚

IPC分类号： C30B13/28 ,  C30B13/04 ,  C30B29/02

摘要： 本发明公开一种使用区熔法生长高纯铁单晶的方法，属于晶体材料制造技术领域。所述高纯铁单晶的方法包括将铁棒料放置于垂直区熔炉内并夹持；控制线圈的电流，使铁棒料形成熔体进行区熔提纯，将杂质主要集中于铁棒两端；控制线圈电流，对纯度较高的铁棒料部分加热形成熔体；保持下轴不动，控制上轴上拉形成细颈；然后控制上轴和下轴同步运动，进行铁单晶生长；生长完毕后保持线圈电流静置，随后将线圈电流减小至40A，关闭感应电源，冷却后取出铁单晶棒。本发明通过垂直浮区区熔法提高铁的纯度，提高成晶率；另外，通过对线圈电流、上轴和下轴的运行方式的调控，实现对高纯铁单晶生长的精确控制，克服铁单晶生长过程中晶体方向性易出现偏差的缺点。

公开(公告)号：CN116497449A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210061820.6

申请日：2022-01-19

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 余野建定 ,  王玲 ,  武彤 ,  李勤 ,  汪超越 ,  王慧 ,  方婧红 ,  贺欢 ,  倪津崎 ,  石云

IPC分类号： C30B29/22 ,  C30B13/04

摘要： 本发明公开一种铝钪共掺铁酸镓单晶及其制备方法和在温度传感器中的应用。所述铝钪共掺铁酸镓单晶的化学组成为AlzScyGax‑y‑zFe2‑xO3，其中，0.7≤x≤1.35，0＜y≤0.15，0＜z＜0.05。所述单晶具有高于室温的Tc温度，而且在Tc转变温度附近具有高灵敏的温度磁性变化曲线，单晶磁性随温度的变化发生迅速显著的变化，因而成为高灵敏温度‑磁性传感器的候选材料之一。

公开(公告)号：CN204676190U

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201520297328.4

申请日：2015-05-11

申请人： 天津中环半导体股份有限公司

发明人： 姚长娟 ,  高树良 ,  靳立辉 ,  张学强 ,  刘旭光 ,  王遵义 ,  李宇佳

IPC分类号： C30B13/04

摘要： 本实用新型涉及一种剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶，包括桶体、把手、中轴，桶体为半圆通透桶体，把手前部为内径与桶体外圆柱面外径相同的半圆环、后部为剪刀把型，上面有中轴孔和长圆孔，把手的半圆环固定于桶体的外圆柱面中部成一体，两个装有把手的桶体用中轴穿在两个重叠的中轴孔内固定并使桶体可开合转动，有益效果是结构简单，区熔硅单晶安装方便，可以提高真空电阻炉热场的稳定性，延长区熔炉的使用寿命。