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公开(公告)号:CN1745431A
公开(公告)日:2006-03-08
申请号:CN200480003374.3
申请日:2004-06-10
申请人: 松下电器产业株式会社
CPC分类号: G11C7/005
摘要: 为了迅速提高存储装置的存储密度,由冷阴极(101)发射出来的电子射线E,被加速电极(102)加速、被收敛电极(103)收敛、被偏转电极(104)偏转后,照射到存储膜(105)的微小区域上。存储膜(105),例如具有相变化膜(105a),被高能的电子射线E照射后急剧加热、冷却后非晶质化,而被中能的电子射线(E)照射后则缓慢冷却而结晶化,从而存储数据。另外,被低能的电子射线(E)照射后,就按照非晶质化或结晶化的状态,检出不同的检出电极(105b)和阳极(105c)之间的电位差,读出存储数据。
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