一种黄连扦插繁殖方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118661558A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410504902.2

    申请日:2024-04-25

    摘要: 本发明公开了一种黄连扦插繁殖方法,属于黄连繁殖技术领域,所述扦插繁殖方法包括选地整地、插穗采集、扦插、遮阳处理和后期管护等步骤,通过制备一种扦插基质施用于扦插过程中,扦插基质各组分共同作用,在提高根系活性,促进生根和植株生长的同时,为黄连生长提供一个更接近于高海拔地区的冷凉、湿润、透气的生长环境,使黄连不在高海拔地区也能良好生长,进而拓宽黄连种植区域,提高黄连品质,促进黄连产业的进一步发展。

    一种药用落新妇根茎的繁殖方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118575626A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410610699.7

    申请日:2024-05-16

    摘要: 本发明涉及植物栽培方法领域,公开了一种药用落新妇根茎的繁殖方法,通过提供适当的休眠条件提高落新妇根茎的发芽率;并提供适合的破除休眠的环境促进其发芽个数;通过分切的方式提高了落新妇根茎的种植产量,并进行合适的种植前处理,提高了落新妇根茎种植后的存活率;且选用了适宜的焦炭土,有效改善落新妇根茎虫咬的现象。使得落新妇根茎种植繁殖快、成本低、成活率高、腐烂率低,突破了落新妇种子繁育发芽率低,育苗时间长的技术缺陷。

    一种阻断氢氰酸合成的饲用木薯栽培方法

    公开(公告)号:CN118556570A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410616377.3

    申请日:2024-05-17

    摘要: 本发明提供了一种阻断氢氰酸合成的饲用木薯栽培方法,包括以下步骤:S1选地及整地、S2品种选择及处理、S3施有机基肥及种植、S4补苗、除苗、S5灌溉管理、S6施叶面肥、S7木薯茎叶收割、S8木薯茎叶处理。本发明通过种植地选取、种苗选取、施有机基肥、灌溉管理、施叶面肥、控制收割时间等步骤有效降低木薯茎叶中氢氰酸含量、提高木薯茎叶光合作用、促进木薯茎叶生长,获得高产低氢氰酸含量的木薯茎叶。本发明叶面肥阻断剂中的香豆素、柠檬酸钠、脱硫弧菌通过不同的机制协同作用,共同阻断木薯茎叶中氢氰酸的合成,从而实现更有效地降低木薯茎叶中氢氰酸含量的目标,所获得的的木薯茎叶不经处理即可作为饲用木薯茎叶使用。

    一种辅助遮阴装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116267475B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202310113641.7

    申请日:2021-09-23

    发明人: 肖良俊

    摘要: 本发明提供了一种辅助遮阴装置,用于控制照射在魔芋上阳光强度;其包括本体、第一遮光板、第二遮光板和滑板条;多个所述第一遮光板沿设定方向均匀间隔地竖立在所述本体上;多个所述第二遮光板沿所述设定方向均匀间隔地竖立在所述滑板条上;所述滑板条沿所述设定方向可移动地设置在所述本体上,用于调节第一遮光板与第二遮光板之间的重叠度。即利用第二遮光板遮盖相邻两个所述第一遮光板之间的部分或全部间隙,通过同步移动滑板条,调节第二遮光板对第一遮光板间隙的遮盖程度,从而调节整个辅助遮阴装置的透光率。

    一种提高竹山粉葛葛根素含量的栽培方法

    公开(公告)号:CN118476407A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410762846.2

    申请日:2024-06-13

    IPC分类号: A01G7/06 A01G22/25

    摘要: 本发明公开了一种提高竹山粉葛葛根素含量的栽培方法。其包括如下步骤:在粉葛块根膨大期喷施1‑3次光合高脂膜500‑600倍稀释液,所述光合高脂膜包括以下组分:十二醇和十六醇。本发明通过比较了在块根膨大期分别施用光合高脂膜不同次数对收获粉葛块根中葛根素含量的影响。发现苗期喷施一次光合高脂膜500倍稀释液,可以使收获粉葛的葛根素含量达到0.52%,喷施2次和3次的葛根素含量均超过《中国药典》规定的0.03%。

    一种滇重楼土壤改良种植方法

    公开(公告)号:CN118452013A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410931971.1

    申请日:2024-07-12

    摘要: 本发明属于中药种植技术领域,具体公开一种滇重楼土壤改良种植方法,包括以下步骤:选地:选择种植过滇重楼,有连作障碍的土地;整地、开墒:清除田间杂草残茬,每亩撒施2000~3000kg混合有机肥,翻耕均匀,所述混合有机肥为腐熟农家肥和天麻废弃菌材按照质量比2:1混合制备而成;所述天麻废弃菌材处理方式为:干燥后粉碎至1~5mm;移栽:选择健壮、未表现病虫害侵染过的种苗,移栽,移栽后在墒面上覆盖一层2cm~3cm的天麻废弃菌材,所述天麻废弃菌材处理方式为:干燥后粉碎至6~15mm,采用本发明的技术方案下,显著的降低了连作障碍土地下种植滇重楼根茎腐病的发病率,改善了连作障碍下土壤环境。

    一种泽泻种子的繁育方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118435844A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410657113.2

    申请日:2024-05-25

    摘要: 本发明提供了一种泽泻种子的繁育方法,属于泽泻种植技术领域。本发明提供的泽泻种子的繁育方法,包括如下步骤:(1)泽泻种子分级、消毒后,用温水浸种,催芽;(2)将催芽后的种子与草木灰混合后播种到育苗基质中,进行大棚管理;(3)培育得到壮苗后移栽,待移栽返青后喷施赤霉素溶液,进行大田管理;(4)种子成熟后采收,得到泽泻种子。本发明解决了传统块茎育种技术的选种、需求量大、分苗移栽、育种周期长、种子成熟度不一致、种子产量低等问题。使用本发明的育种方法,能够极大的提高泽泻种子质量,培育出优质泽泻种子。

    一种全流程生物防治长山药茎基腐病的施肥方法

    公开(公告)号:CN118435819A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410725434.1

    申请日:2024-06-06

    IPC分类号: A01G13/00 A01G22/25 A01C21/00

    摘要: 本发明提供一种全流程生物防治长山药茎基腐病的施肥方法,包括以下步骤,第一步,施基肥,基肥包括基肥复合肥和生物有机肥两种,生物有机肥用量30000kg/hm2,基肥复合肥用量428.57 kg/hm2,第二步,移栽,移栽前使用枯草芽孢杆菌菌剂和解淀粉芽孢杆菌菌剂浸泡长山药种薯,枯草芽孢杆菌菌剂和解淀粉芽孢杆菌菌剂用量各为31.25kg/hm2,第三步,施基肥后70‑80天,第一次冲施枯草芽孢杆菌菌剂和解淀粉芽孢杆菌菌剂,用量为93.75kg/hm2,第四步,间隔15‑20天后,施追肥复合肥,用量为75kg/hm2,第五步,间隔55‑60天后,第二次冲施枯草芽孢杆菌菌剂和解淀粉芽孢杆菌菌剂,用量为78.75kg/hm2,同时施硫酸钾,用量为107.14 kg/hm2。本发明通过生物防治长山药茎基腐病,环境污染小,能有效地保护天敌,发挥持续控制作用。