水基凹凸棒导电涂料的生产方法

    公开(公告)号:CN102174284A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110047291.6

    申请日:2011-02-28

    摘要: 本发明公开了一种水基凹凸棒导电涂料的生产方法,其技术方案的要点是,将水基凹凸棒导电涂料的配料进行搅拌混合,搅拌混合均匀后为混合物;输入砂磨机中进行研磨为半成品,将半成品进行真空脱气工艺处理,罐装为水基凹凸棒导电涂料的成品。水基凹凸棒导电涂料由膏状凹凸棒石粘土、纯丙乳液、聚苯胺/凹凸棒土纳米导电复合材料、聚乙二醇、丙二醇丁醚、乙二醇、聚氧丙烯甘油醚和去离子水组成。本发明选用的膏状凹凸棒石粘土、聚苯胺/凹凸棒土纳米导电复合材料和纯丙乳液,具有良好的附着力、优良的物理机械性能、较好的耐腐蚀性、优异的力学性能及机械性能,在含量较低的情况下仍可以发挥优越的导电性能,本发明适用于生产水基凹凸棒导电涂料。

    硅藻土填料的净化方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1282602C

    公开(公告)日:2006-11-01

    申请号:CN200410060785.8

    申请日:2004-08-31

    摘要: 本发明涉及一种硅藻土填料的净化方法。它是将硅藻土填料用酸和有机溶剂洗涤后,在550℃-850℃、连续进行12-48小时灼烧。它解决了现有硅藻土填料使用后因含杂质而不能重复使用的问题。本发明方法能够有效除去硅藻土填料中的无机和有机杂质,使硅藻土填料一般可以重复使用4次,大大节约了使用成本。

    生产结晶无机助洗剂的方法

    公开(公告)号:CN1216031A

    公开(公告)日:1999-05-05

    申请号:CN98800036.9

    申请日:1998-01-14

    IPC分类号: C01B33/36 C01B33/38

    摘要: 生产一种其无水形式具有下述组成的结晶无机助洗剂的方法:xM2O·ySiO2·zMeO,其中x,y和z为满足下述关系的数值;y/x为1.0~4.0,z/y不大于1.0,M代表Na和K,K/Na为0.01~2.0,和Me代表Ca和/或Mg,该方法包括步骤:(a)把水、含Na化合物、含K化合物以及至少含Ca化合物和含Mg化合物中的一种加入硅砂中,得到一混合物;(b)对所得混合物进行水热处理;和(c)烘烤所得的处理混合物。生产一种其无水形式具有下述组成的结晶无机助洗剂的方法:xM2O·ySiO2,其中x和y为满足下述关系的数值:y/x为1.0~4.0,M代表Na和K,和K/Na为0.01~2.0,该方法包括步骤:(a)把水、含Na化合物和含K化合物加入硅砂中,得到一混合物;(b)对所得混合物进行水热处理;和(c)烘烤所得的处理混合物。

    生产结晶状无机离子交换材料的方法

    公开(公告)号:CN1187171A

    公开(公告)日:1998-07-08

    申请号:CN96194629.6

    申请日:1996-04-04

    IPC分类号: C01B33/36

    CPC分类号: C01B33/36

    摘要: 一种生产含有如下组成的结晶状无机离子交换材料的方法:xM2O·ySiO2·zMeO,式中x、y、和z是满足如下关系式的数值,即y/x=0.5~2.1,优选0.5~2.0,和z/y=0.001~1.0;M代表Na和K,此处K/Na的范围为0.01~1.2;和Me代表Ca和/或Mg,本方法包括以下步骤,将1~85重量份的水添加到100重量份的碎玻璃料中,然后烘烤所得到的混合物,此处的碎玻璃料含有下列组合物,xM2O·ySiO2·zMeO,其中x、y、z、M和Me的定义如上。

    一种高纯纳米结构双硅酸镱粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN115557511A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211215604.9

    申请日:2022-09-30

    IPC分类号: C01B33/36 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种高纯纳米结构双硅酸镱粉体及其制备方法,所述方法以纳米Yb2O3粉体、纳米SiO2粉体为原料,纳米SiC作为纳米改性剂,经过机械混合、球磨制浆、喷雾造粒和固相烧结过程来制得纳米结构Yb2Si2O7球形或非球形粉体。本发明的方法所需设备简易、工艺简单可调控,采用的固相烧结工艺的保温温度和时间较现有存在固相烧结方法大幅度降低,制备周期大大缩短,制备的Yb2Si2O7粉体为纳米结构,纯度高,纳米结构保留完好,可降低粉体合成能源消耗利于产业化,可用于作为航空发动机及燃气轮机高性能纳米结构环境障涂层材料。

    含硅剥离型有机蒙脱土及其制备方法

    公开(公告)号:CN101575099A

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:CN200910052859.6

    申请日:2009-06-10

    发明人: 杨科 王锦成

    IPC分类号: C01B33/36

    摘要: 本发明提供了一种含硅剥离型有机蒙脱土及其制备方法,制备方法,包括如下步骤:(1)将有机化插层剂和无机蒙脱土的混合物加入乙醇水溶液反应;所说的有机化插层剂选自羟甲基十二烷基氯化铵,胺基甲基十八烷基氯化铵,双(2-羟乙基)甲基十二烷基氯化铵或双(2-胺基)甲基十八烷基氯化铵;(2)在步骤(1)的产物中加入硅油反应,然后从反应产物中收集所述的硅剥离型有机蒙脱土。所制备的剥离型有机蒙脱土,可直接应用于包括硅橡胶在内的聚合物加工工艺中,无需繁琐的溶液或熔融插层;片层的粒径分布均匀,且粒径分布范围为50~90nm;制备工艺简单、生产成本低、易于实施。